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  [단독] HBM 통로 2000개, 낸드 300단…K-메모리, '극한공정' 꺼냈다 2023.09.04 삼성전자 평택 캠퍼스 전경. 사진제공=삼성전자 SK하이닉스 이천캠퍼스 전경. 사진제공=SK하이닉스 글로벌 메모리 반도체 시장을 양분하고 있는 삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)가 다시 한 번 극한의 공정 혁신에 착수한 것으로 확인됐다. 차세대 메모리로 불리는 고대역폭메모리(HBM)는 물론 낸드플래시 분야에서도 끊임 없는 기술 진화를 통해 경쟁업체와 초격차를 유지한다는 전략이다. 4일 반도체업계에 따르면 SK하이닉스는 2026년 양산 계획인 6세대 ‘HBM4’에 입출력(I·O) 수를 2000개 이상으로 […]