삼성전자, 업계 최소 두께 0.65mm LPDDR5X D램 양산 시작[한국금융신문 김재훈 기자] 삼성전자가 업계 최소 두께 12나노급 LPDDR5X D램 12‧16GB(기가바이트) 패키지 양산을 시작하며 저전력 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 했다고 6일 밝혔다. 이번 제품의 두께는 0.65mm로 현존하는 12GB 이상 LPDDR D램 중 가장 얇다. 삼성전자는 업계 최소 크기 12나노급 LPDDR D램을 4단으로 쌓고 패키지 기술, 패키지 회로 기판 및 EMC 기술 등 최적화를 통해 이전 세대 제품 대비 두께를 약 9% 감소, 열 저항을 약 21.2% 개선했다. 또한 패키지 공정 중 하나인 백랩(Back-lap, 웨이퍼 뒷면을 연마하여 두께를 얇게 만드는 공정) 공정의 기술력을 극대화해 웨이퍼를 최대한 얇게 만들어 최소 두께 패키지를 구현했다. 이번 제품은 얇아진 두께만큼 추가로 여유 공간 확보를 통해 원활한 공기 흐름이 유도되고, 기기 내부 온도 제어에 도움을 줄 수 있다. 일반적으로 높은 성능을 필요로 하는 온디바이스 AI는 발열로 인해 기기 온도가 일정 구간을 넘기면 성능을 제한하는 온도 제어 기능이 작동한다. 이번 제품을 탑재하면 발열로 인해 해당 기능이 작동하는 시간을 최대한 늦출 수 있어 속도, 화면 밝기 저하 등의 기기 성능 감소를 최소화할 수 있다. 삼성전자는 향후 6단 구조 기반 24GB, 8단 구조 32GB 모듈도 가장 얇은 LPDDR D램 패키지로 개발하여 온디바이스 AI시대 고객의 요구에 최적화된 솔루션을 지속 공급할 예정이다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장(부사장은 "고성능 온디바이스 AI의 수요가 증가함에 따라 LPDDR D램의 성능뿐만 아니라 온도 제어 개선 역량 또한 중요해졌다"며 "삼성전자는 기존 제품 대비 두께가 얇은 저전력 D램을 지속적으로 개발하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 최적화된 솔루션을 제공하겠다"고 밝혔다. 김재훈 한국금융신문 기자 rlqm93@fntimes.com
SK하이닉스, ‘GDDR7’ D램 공개…‘고성능 그래픽 메모리 리더십 강화’[한국금융신문 김재훈 기자] SK하이닉스가 세계 최고 수준의 성능이 구현된 차세대 그래픽 메모리 제품인 GDDR7을 공개했다고 30일 밝혔다. GDDR은 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 규정한 그래픽 D램의 표준 규격 명칭이다. 그래픽을 빠르게 처리하는데 특화한 규격으로 최신 세대일수록 빠른 속도와 높은 전력 효율성을 가지며 최근에는 그래픽을 넘어 AI 분야에서도 활용도가 높은 고성능 메모리로 주목 받고 있다. SK하이닉스는 “그래픽 처리에 특화된 성능과 빠른 속도를 동시에 충족시키는 D램인 GDDR에 대한 글로벌 AI 고객들의 관심이 매우 커지고 있다”며 “당사는 이에 맞춰 현존 최고 성능의 GDDR7을 3월 개발 완료한 후 이번에 공개했고, 3분기 중 양산을 시작할 계획”이라고 밝혔다. SK하이닉스의 GDDR7은 이전 세대보다 60% 이상 빠른 32Gbps(초당 32기가비트)의 동작속도가 구현됐고 사용 환경에 따라 최대 40Gbps까지 속도가 높아지는 것으로 확인됐다. 이 제품은 최신 그래픽카드에 탑재돼 초당 1.5TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있게 해주며 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 300편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 또 GDDR7은 빠른 속도를 내면서도 전력 효율은 이전 세대 대비 50% 이상 향상됐다. SK하이닉스는 이를 위해 제품 개발 과정에서 초고속 데이터 처리에 따른 발열 문제를 해결해주는 신규 패키징기술을 도입했다. 회사 기술진은 제품 사이즈를 유지하면서 패키지에 적용하는 방열기판을 4개층(Layer)에서 6개 층으로 늘리고, 패키징 소재로 고방열 EMC를 적용했다. 이를 통해 기술진은 제품의 열 저항을 이전 세대보다 74% 줄이는데 성공했다. 이상권 SK하이닉스 부사장(DRAM PP&E 담당)은 “압도적인 속도와 전력 효율로 현존 그래픽 메모리 중 최고 성능을 갖춘 GDDR7은 고사양 3D 그래픽은 물론, AI, 고성능 컴퓨팅(HPC), 자율주행까지 활용범위가 확대될 것“이라며 “뛰어난 기술 경쟁력을 바탕으로 프리미엄 메모리 라인업을 한층 강화하면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다”고 말했다. 김재훈 한국금융신문 기자 rlqm93@fntimes.com
[뉴삼성의 길②]50년 반도체 초격차…JY네트워크·기술력으로 100년 미래로아시아투데이 정문경 기자 = 삼성전자의 반도체 사업은 올해로 출범 50년을 맞는다. 1974년 12월 경기도 부천에서 한국의 첫 반도체 공장이 만들어지며 삼성전자 반도체 역사가 시작됐다. 이후 반세기가 흘렀다. 삼성전자의 반도체 사업은 한국을 대표하는 경영 정신 '초격차'가 탄생하며 실현된 곳이며, 1992년 부터 줄곧 세계 1위를 놓치지 않게된 한국경제의 자부심을 만들어낸 분야이기도 하다. 50년의 초격차 역사를 만들어온 삼성전자는 현재 더 치열해진 반도체 무대에서 지속적인 초격차를 실현하기 위해 이전보다 빠르게 달리고 있는 모습이다. 이재용 삼성전자 회장이 지난달 31일부터 2주간 미국 재계 인사들과 30여 차례 릴레이 비즈니스 미팅을 통해 협의 테이블을 만들어낸 일정이 그 예다. 분단위로 빽빽하게 들어차 있던 이번 출장은 삼성전자의 초격차 경쟁력 회복을 위한 의지가 담긴 강행군이라는 분석이다. 더 넓어지고 치열해진 세계 무대에서 미국, 유럽, 아시아 등 방방곡곡을 누비며 비즈..
D램·낸드 고정거래가격 5월 보합세아시아투데이 정문경 기자 = 이달 메모리 반도체 D램과 낸드플래시 월평균 가격이 보합세를 보였다. 31일 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb)의 5월 평균 고정거래가격은 전월과 같은 2.1달러를 기록했다. D램 가격은 작년 10월부터 올해 1월까지 4개월 연속 오른 후 2개월간 보합세를 유지했다. 이어 4월에 16.67% 오르며 2022년 12월 이후 처음 2달러대를 회복했다. 시장조사업체 트렌드포스는 "4월에 2분기 계약이 마무리되면서 5월에는 PC D램 계약 가격이 대부분 제자리걸음을 했다"며 "전 분기와 비교하면 가격은 15∼20% 상승했다"고 설명했다. 메모리카드·USB용 낸드플래시 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 5월 평균 고정거래가격은 전월과 같은 4.9달러를 유지하며 3개월째 보합세를 지속했다. 앞서 낸드 가격은 작년 10월부터 올해 2월까지 5개월 연속 상승했다.
[과학기술이 미래다]〈125〉전 대통령, 4M D램 개발 유공자 청와대 초청청와대는 축제 분위기였다. 1988년 2월 8일. 이날 오전 박긍식 과학기술처 장관과 경상현 전자통신연구소(현 ETRI) 소장이 청와대에서 전두환 대통령에게 4M D램 개발 성공을 보고했다. 이 자리에는 오명 체신부 장관, 박영철 청와대 경제수석, 홍성원 과학기술비서관 청와대는 축제 분위기였다. 1988년 2월 8일. 이날 오전 박긍식 과학기술처 장관과 경상현 전자통신연구소(현 ETRI) 소장이 청와대에서 전두환 대통령에게 4M D램 개발 성공을 보고했다. 이 자리에는 오명 체신부 장관, 박영철 청와대 경제수석, 홍성원 과학기술비서관
SK하이닉스, AI 메모리 개발 공로 인정…정부 포상아시아투데이 최지현 기자 = SK하이닉스가 지난 21일 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 '제59회 발명의 날 기념식'에서 정부 포상을 수상했다. 김종환 부사장(D램개발 담당)이 철탑산업훈장을, 김웅래 팀장(D램코어디자인)이 국무총리표창을 수상했다. 22일 SK하이닉스에 따르면 김 부사장은 AI(인공지능) 메모리 개발 공적으로 철탑산업훈장을 수상했다. 그는 2021년부터 D램 개발을 총괄하면서 2022년 4세대 고대역폭메모리(HBM) 'HBM3' 양산에 성공하고 지난해 5세대 'HBM3E'를 개발했다. 이와 함께 메모리에 연산 기능을 더한 '프로세싱 인 메모리(PIM)'를 개발하고, 메모리와 다른 장치들 사이에 인터페이스를 하나로 통합해 성능·효율성을 높인 '컴퓨트 익스프레스 링크(CXL)' 메모리 개발에도 기여했다. 김 부사장은 "SK하이닉스가 HBM3와 HBM3E 개발을 통해 글로벌 AI 메모리 시장을 선점하고 대한민국의 위상을 높였듯이, 차세대 AI 메모리 개발에도 박차를 가해..
SK하이닉스, HBM4E 양산 1년 앞당겨…2026년 목표아시아투데이 최지현 기자 = SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리인 HBM4E를 당초 계획보다 1년 앞당긴 2026년 양산할 계획이다. 김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 13일 서울 광진구 워커힐호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 "HBM이 4세대(HBM3) 제품까지는 2년 단위로 발전해왔지만, 5세대(HBM3E) 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다"고 말했다. 아직 SK하이닉스는 HBM4E 로드맵을 공식화하지 않았으나, 개발 주기가 1년으로 단축되는 시장 상황을 고려하면 2026년에 개발을 마칠 수 있다는 해석이 나온다. 이에 SK하이닉스는 6세대인 HBM4는 내년, HBM4E는 내후년 개발을 완료할 것으로 보인다. 빈도체업계 안팎에선 HBM4E는 16단~20단 제품이 될 것이란 전망이 나온다. 이미 SK하이닉스는 HBM4 16단 제품을 2026년에 양산하겠다는 계획을 세웠다. SK하이닉스는 HBM4 이후부터는 더 많은 D램을 적층하기 위해 하이브리디 본딩..
“HBM, 내년 D램 매출 중 30% 이상 차지···가격 5~10% 상승 예측”투데이코리아=진민석 기자 | 인공지능(AI) 시장이 커지면서 고대역폭메모리(HBM) 수요도 덩달아 급증하고 있는 것으로 나타낫다. 특히 내년에는 HBM이 전체 D램 매출의 30% 이상을 차지할 가능성과 함께 가격도 5~10% 상승할 것이란 전망이 제기됐다.7일 대만 시장조사업체 트렌드포스(Trendforce)는 전체 D램 비트(bit) 용량에서 HBM이 차지하는 비중이 2023년 2%에서 올해 5%로 상승하고, 내년에는 10%를 넘어설 것이라고 관측했다.또한 전체 D램 매출 측면에서 HBM 점유율도 지난해 8%에서 올해 21%, 내
HBM, 내년 D램의 30% 차지…삼성·SK, 수주형 커스텀으로 발전아시아투데이 정문경 기자 = 생성형 AI 시장의 폭발적 성장으로 내년 전체 D램 매출의 30% 이상을 HBM(고대역폭메모리)이 차지할 것이란 전망이 나왔다. 세계 HBM 시장 1, 2위 SK하이닉스와 삼성전자는 치열한 기술 경쟁 속 내년까지 5세대 HBM 공급을 늘려 갈 전망이다. 6세대부터는 고객사별 특화된 AI 방향에 맞춰 맞춤형 HBM으로 발전시켜 나간다는 계획이다. 7일 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 HBM이 전체 D램 시장에서 매출 비중이 지난해 8%에서 올해 21%로 늘어나고, 내년에는 30%를 넘어설 것으로 예상했다. 세계 D램 비트(bit) 용량에서도 HBM이 차지하는 비중은 지난해 2%에서 올해 5%로 상승하고, 내년에는 10%를 넘어설 것으로 전망된다. 동시 HBM 판매 단가는 내년에 전년 보다 5∼10% 상승할 것으로 봤다. 올해 HBM 수요 성장률은 200%에 육박하며 내년에는 2배로 증가할 전망이다. 트렌드포스는 "HBM의 판매 단가는 기존 D램의 몇..
만들기도 전에 완판… HBM, 삼성·SK 수익개선 일등공신생성형 AI 시장의 폭발적 성장으로 내년 전체 D램 매출의 30% 이상을 HBM(고대역폭메모리)이 차지할 것이란 전망이 나왔다. 세계 HBM 시장 1, 2위 SK하이닉스와 삼성전자는 치열한 기술 경쟁 속 내년까지 5세대 HBM 공급을 늘려 갈 전망이다. 6세대부터는 고객사별 특화된 AI 방향에 맞춰 맞춤형 HBM으로 발전시켜 나간다는 계획이다. 7일 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 HBM이 전체 D램 시장에서 매출 비중이 지난해 8%에서 올해 21%로 늘어나고, 내년에는 30%를 넘어설 것으로 예상했다. 세계 D램 비트(bit) 용량에서도 HBM이 차지하는 비중은 지난해 2%에서 올해 5%로 상승하고, 내년에는 10%를 넘어설 것으로 전망된다. 동시 HBM 판매 단가는 내년에 전년 보다 5∼10% 상승할 것으로 봤다. 올해 HBM 수요 성장률은 200%에 육박하며 내년에는 2배로 증가할 전망이다. 트렌드포스는 "HBM의 판매 단가는 기존 D램의 몇 배, DDR5의 약 5배에 달..
이젠 AI반도체 시대…삼성전자의 영업이익 6조 달성의 비결은?삼성전자 반도체 첫 흑자 전환… 1조 원 달성 AI 필수품 5세대 HBM 첫 양산 반도체 사업 효과로 무역수지 21% 증가 지난 30일 삼성전자가 전년 동기보다 931.87% 급증한 1분기 영업이익을 공시했다. 5분기 만에 흑자로 전환한 부문은 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)이다. 이는 지난해 1분기 영업손실 4조 5800억 원 대비하여 1조 9,100억으로 상승한 것이다. 메모리 반도체 산업은 2년 […]
SK하이닉스, 청주에 HBM 신규공장…"AI 반도체 20조 투자"아시아투데이 정문경·최지현 기자 = SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)의 생산량을 대폭 끌어올리기 위해 20조원이 넘는 자금을 들여 청주에 D램 생산기지를 짓기로 했다. 중요한 건 SK가 HBM 수요가 연 평균 60% 이상 크게 늘어날 것이라 전망하며 대규모 투자를 결정했다는 대목이다. 앞서 최창원 SK수펙스추구협의회 의장이 SK하이닉스를 비롯한 핵심 계열사 20여명을 불러놓고 환경변화를 미리 읽지 못했다는 식의 통렬한 반성 직후 이뤄졌다는 점에서 미래에 대한 예측 자신감을 엿볼 수 있다. 현재 투자 중인 용인 클러스터에 더해 청주에 추가 팹을 건설하면서 SK하이닉스는 국내 반도체 산업을 강국으로 발돋움시키고, 한국경제를 활성화하는 마중물 역할을 할 것이란 기대가 커진다. 24일 SK하이닉스는 이사회를 열어 충청북도 청주시에 신규 팹 M15X를 D램 생산기지로 결정하고 팹 건설에 약 5조3000억원을 투자하기로 결의했다. SK하이닉스는 내년 11월 준공과 양산 시작을 목표로 이..
삼성전자, 업계 최소 두께 0.65mm LPDDR5X D램 양산 시작 [한국금융신문 김재훈 기자] 삼성전자가 업계 최소 두께 12나노급 LPDDR5X D램 12‧16GB(기가바이트) 패키지 양산을 시작하며 저전력 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 했다고 6일 밝혔다. 이번 제품의 두께는 0.65mm로 현존하는 12GB 이상 LPDDR D램 중 가장 얇다. 삼성전자는 업계 최소 크기 12나노급 LPDDR D램을 4단으로 쌓고 패키지 기술, 패키지 회로 기판 및 EMC 기술 등 최적화를 통해 이전 세대 제품 대비 두께를 약 9% 감소, 열 저항을 약 21.2% 개선했다. 또한 패키지 공정 중 하나인 백랩(Back-lap, 웨이퍼 뒷면을 연마하여 두께를 얇게 만드는 공정) 공정의 기술력을 극대화해 웨이퍼를 최대한 얇게 만들어 최소 두께 패키지를 구현했다. 이번 제품은 얇아진 두께만큼 추가로 여유 공간 확보를 통해 원활한 공기 흐름이 유도되고, 기기 내부 온도 제어에 도움을 줄 수 있다. 일반적으로 높은 성능을 필요로 하는 온디바이스 AI는 발열로 인해 기기 온도가 일정 구간을 넘기면 성능을 제한하는 온도 제어 기능이 작동한다. 이번 제품을 탑재하면 발열로 인해 해당 기능이 작동하는 시간을 최대한 늦출 수 있어 속도, 화면 밝기 저하 등의 기기 성능 감소를 최소화할 수 있다. 삼성전자는 향후 6단 구조 기반 24GB, 8단 구조 32GB 모듈도 가장 얇은 LPDDR D램 패키지로 개발하여 온디바이스 AI시대 고객의 요구에 최적화된 솔루션을 지속 공급할 예정이다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장(부사장은 "고성능 온디바이스 AI의 수요가 증가함에 따라 LPDDR D램의 성능뿐만 아니라 온도 제어 개선 역량 또한 중요해졌다"며 "삼성전자는 기존 제품 대비 두께가 얇은 저전력 D램을 지속적으로 개발하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 최적화된 솔루션을 제공하겠다"고 밝혔다. 김재훈 한국금융신문 기자 rlqm93@fntimes.com
SK하이닉스, ‘GDDR7’ D램 공개…‘고성능 그래픽 메모리 리더십 강화’ [한국금융신문 김재훈 기자] SK하이닉스가 세계 최고 수준의 성능이 구현된 차세대 그래픽 메모리 제품인 GDDR7을 공개했다고 30일 밝혔다. GDDR은 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 규정한 그래픽 D램의 표준 규격 명칭이다. 그래픽을 빠르게 처리하는데 특화한 규격으로 최신 세대일수록 빠른 속도와 높은 전력 효율성을 가지며 최근에는 그래픽을 넘어 AI 분야에서도 활용도가 높은 고성능 메모리로 주목 받고 있다. SK하이닉스는 “그래픽 처리에 특화된 성능과 빠른 속도를 동시에 충족시키는 D램인 GDDR에 대한 글로벌 AI 고객들의 관심이 매우 커지고 있다”며 “당사는 이에 맞춰 현존 최고 성능의 GDDR7을 3월 개발 완료한 후 이번에 공개했고, 3분기 중 양산을 시작할 계획”이라고 밝혔다. SK하이닉스의 GDDR7은 이전 세대보다 60% 이상 빠른 32Gbps(초당 32기가비트)의 동작속도가 구현됐고 사용 환경에 따라 최대 40Gbps까지 속도가 높아지는 것으로 확인됐다. 이 제품은 최신 그래픽카드에 탑재돼 초당 1.5TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있게 해주며 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 300편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 또 GDDR7은 빠른 속도를 내면서도 전력 효율은 이전 세대 대비 50% 이상 향상됐다. SK하이닉스는 이를 위해 제품 개발 과정에서 초고속 데이터 처리에 따른 발열 문제를 해결해주는 신규 패키징기술을 도입했다. 회사 기술진은 제품 사이즈를 유지하면서 패키지에 적용하는 방열기판을 4개층(Layer)에서 6개 층으로 늘리고, 패키징 소재로 고방열 EMC를 적용했다. 이를 통해 기술진은 제품의 열 저항을 이전 세대보다 74% 줄이는데 성공했다. 이상권 SK하이닉스 부사장(DRAM PP&E 담당)은 “압도적인 속도와 전력 효율로 현존 그래픽 메모리 중 최고 성능을 갖춘 GDDR7은 고사양 3D 그래픽은 물론, AI, 고성능 컴퓨팅(HPC), 자율주행까지 활용범위가 확대될 것“이라며 “뛰어난 기술 경쟁력을 바탕으로 프리미엄 메모리 라인업을 한층 강화하면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다”고 말했다. 김재훈 한국금융신문 기자 rlqm93@fntimes.com
[뉴삼성의 길②]50년 반도체 초격차…JY네트워크·기술력으로 100년 미래로 아시아투데이 정문경 기자 = 삼성전자의 반도체 사업은 올해로 출범 50년을 맞는다. 1974년 12월 경기도 부천에서 한국의 첫 반도체 공장이 만들어지며 삼성전자 반도체 역사가 시작됐다. 이후 반세기가 흘렀다. 삼성전자의 반도체 사업은 한국을 대표하는 경영 정신 '초격차'가 탄생하며 실현된 곳이며, 1992년 부터 줄곧 세계 1위를 놓치지 않게된 한국경제의 자부심을 만들어낸 분야이기도 하다. 50년의 초격차 역사를 만들어온 삼성전자는 현재 더 치열해진 반도체 무대에서 지속적인 초격차를 실현하기 위해 이전보다 빠르게 달리고 있는 모습이다. 이재용 삼성전자 회장이 지난달 31일부터 2주간 미국 재계 인사들과 30여 차례 릴레이 비즈니스 미팅을 통해 협의 테이블을 만들어낸 일정이 그 예다. 분단위로 빽빽하게 들어차 있던 이번 출장은 삼성전자의 초격차 경쟁력 회복을 위한 의지가 담긴 강행군이라는 분석이다. 더 넓어지고 치열해진 세계 무대에서 미국, 유럽, 아시아 등 방방곡곡을 누비며 비즈..
D램·낸드 고정거래가격 5월 보합세 아시아투데이 정문경 기자 = 이달 메모리 반도체 D램과 낸드플래시 월평균 가격이 보합세를 보였다. 31일 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb)의 5월 평균 고정거래가격은 전월과 같은 2.1달러를 기록했다. D램 가격은 작년 10월부터 올해 1월까지 4개월 연속 오른 후 2개월간 보합세를 유지했다. 이어 4월에 16.67% 오르며 2022년 12월 이후 처음 2달러대를 회복했다. 시장조사업체 트렌드포스는 "4월에 2분기 계약이 마무리되면서 5월에는 PC D램 계약 가격이 대부분 제자리걸음을 했다"며 "전 분기와 비교하면 가격은 15∼20% 상승했다"고 설명했다. 메모리카드·USB용 낸드플래시 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 5월 평균 고정거래가격은 전월과 같은 4.9달러를 유지하며 3개월째 보합세를 지속했다. 앞서 낸드 가격은 작년 10월부터 올해 2월까지 5개월 연속 상승했다.
[과학기술이 미래다]〈125〉전 대통령, 4M D램 개발 유공자 청와대 초청 청와대는 축제 분위기였다. 1988년 2월 8일. 이날 오전 박긍식 과학기술처 장관과 경상현 전자통신연구소(현 ETRI) 소장이 청와대에서 전두환 대통령에게 4M D램 개발 성공을 보고했다. 이 자리에는 오명 체신부 장관, 박영철 청와대 경제수석, 홍성원 과학기술비서관 청와대는 축제 분위기였다. 1988년 2월 8일. 이날 오전 박긍식 과학기술처 장관과 경상현 전자통신연구소(현 ETRI) 소장이 청와대에서 전두환 대통령에게 4M D램 개발 성공을 보고했다. 이 자리에는 오명 체신부 장관, 박영철 청와대 경제수석, 홍성원 과학기술비서관
SK하이닉스 "HBM3E 수율 80% 육박" SK하이닉스가 5세대 HBM(고대역폭메모리) HBM3E의 수율(양품 비율)이 80%에 육박했다고 밝혔다. 권재순 SK하이닉스 수율 담당 임원(부사장)은 21일(현지시간) 영국 파이낸셜타임스(FT)와의 인터뷰에서 "HBM3E 칩 양산에 필요한 시간을 50% 단축했다. 해당 칩은 목표 수율인 80%에 거의 도달했다"고 말했다. SK하이닉스가 HBM3E 수율 정보를 외부에 공개한 것은 이번이 처음이다. 그간 업계에서는 SK하이닉스의 HBM3E 수율을 60∼70% 정도로 추정했었다. 권 부사장은 "올해 우리 목표는 8단 HBM3E 생산에 주력하는 것"이라며 "인공지능(AI) 시대에 앞서나가기 위해 수율을 높이는 것은 더욱 중요해지고 있다"고 했다. D램 여러 개를 수직으로 쌓는 HBM은 일반 D램보다 공정 난도가 높아 제조 기업은 수율 안정화에 어려움을 겪어왔다. 특히 HBM3E는 핵심 부품인 실리콘관통전극(TSV) 수율이 40∼60% 수준으로 낮아, 이를 끌어올리는 것이 주요 과제로 꼽힌다. SK하이닉스는 AI 반도체 시장을 장악한 엔비디아에 HBM3를 사실상 독점 공급한 데 이어 지난 3월에는 HBM3E 8단 제품을 납품하기 시작했다. HBM3E 12단 제품은 올해 3분기 공급 예정이다. HBM4(6세대) 12단 제품은 내년, 16단 제품은 2026년에 양산한다. SK하이닉스가 차세대 D램 개발에 속도를 내는 것은 AI 시장이 그만큼 빠르게 성장하고 있기 때문이다. SK하이닉스는 2023년 전체 메모리 시장의 약 5%(금액 기준)를 차지했던 HBM과 고용량 D램 모듈 등 AI 메모리 비중이 5년 뒤인 2028년에는 61%에 달할 것으로 내다봤다. ©(주) 데일리안 무단전재 및 재배포 금지 "누나, 나야…" 매장서 옷 벗기고 성관계 요구, 거부하자 주먹 '퍽퍽퍽' '어제 사랑을 과격하게 해서'…"남편과 상간녀가 홈캠에 잡혔습니다" '의장 탈락' 추미애 "세상 살아보니 성질대로 안돼…탈당 말라" 개혁신당에 손짓하는 국민의힘…연대 성사 가능성은 [단독] 한동훈 ‘부가세 인하’ 카드 수면 아래로…기재부 “추진 쉽지 않다”
김종환 SK하이닉스 부사장, '발명의 날' 철탑산업훈장 김 부사장, 차세대 HBM 개발 공로 인정 SK하이닉스는 지난 21일 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 ‘제59회 발명의 날 기념식’에서 김종환 부사장(D램개발 담당)이 철탑산업훈장을, 김웅래 팀장(D램코어디자인)이 국무총리표창을 수상했다고 22일 밝혔다. 특허청은 매년 발명의 날(5월 19일)을 맞아 국가 산업 발전을 이끈 유공자들에게 정부 포상을 시행하며, 공적에 따라 산업훈장·산업포장·대통령표창·국무총리표창 등을 시상한다. SK하이닉스 D램 기술 개발을 이끌고 있는 김종환 부사장은 AI 메모리 개발 공적으로 철탑산업훈장을 수상했다. 김 부사장은 2021년부터 회사의 D램 개발을 총괄하면서 2022년 6월 AI 메모리인 HBM(고대역폭 메모리) 4세대 제품 HBM3 양산에 성공하고 지난해 8월에는 5세대 제품인 HBM3E를 개발해냈다. 그는 또 메모리에 연산 기능을 더한 차세대 지능형 메모리인 PIM(Processing-In-Memory)을 개발하고, 메모리와 다른 장치들 사이에 인터페이스를 하나로 통합해 제품 성능과 효율성을 동시에 높여주는 CXL(Compute eXpress Link) 메모리를 개발하는 데도 기여했다. 김 부사장은 “첨단 기술력 확보라는 큰 목표를 이루는 데 함께해 준 구성원들에게 감사의 뜻을 전한다”며 “SK하이닉스가 HBM3와 HBM3E 개발을 통해 글로벌 AI 메모리 시장을 선점하고 대한민국의 위상을 높였듯이, 차세대 AI 메모리 개발에도 박차를 가해 리더십을 이어 나가도록 노력하겠다”고 말했다. 국무총리표창을 수상한 김웅래 팀장은 D램 10나노급 미세공정에 도입되는 회로 관련 설계 기술을 개발해 제품 성능 향상과 원가 절감을 이루어낸 공로를 인정받았다. 그는 모바일용 저전력 D램인 LPDDR4와 LPDDR5의 초고속·저전력 동작 기술을 개발하고 핵심 특허를 출원해 국가 IP(지식재산) 확보에 기여한 점도 높이 평가받았다. 김 팀장은 “회사의 아낌없는 투자와 함께, 구성원들이 원팀(One Team) 마인드로 합심해준 덕분에 이룬 성과”라며 “앞으로도 D램 분야에서 선도적인 기술력을 갖출 수 있도록 최선을 다할 것”이라고 소감을 밝혔다. ©(주) 데일리안 무단전재 및 재배포 금지 K-컨테이너운임지수 4주 연속 상승…SCFI, 연중 최고 기록 갱신 美·英 매체, 삼성전자 '비스포크 AI 스팀' 로봇청소기 호평 "누나, 나야…" 매장서 옷 벗기고 성관계 요구, 거부하자 주먹 '퍽퍽퍽' '어제 사랑을 과격하게 해서'…"남편과 상간녀가 홈캠에 잡혔습니다" "반성없는 김호중 치 떨려, 영구퇴출 해라" 쏟아지는 청원
SK하이닉스, AI 메모리 개발 공로 인정…정부 포상 아시아투데이 최지현 기자 = SK하이닉스가 지난 21일 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 '제59회 발명의 날 기념식'에서 정부 포상을 수상했다. 김종환 부사장(D램개발 담당)이 철탑산업훈장을, 김웅래 팀장(D램코어디자인)이 국무총리표창을 수상했다. 22일 SK하이닉스에 따르면 김 부사장은 AI(인공지능) 메모리 개발 공적으로 철탑산업훈장을 수상했다. 그는 2021년부터 D램 개발을 총괄하면서 2022년 4세대 고대역폭메모리(HBM) 'HBM3' 양산에 성공하고 지난해 5세대 'HBM3E'를 개발했다. 이와 함께 메모리에 연산 기능을 더한 '프로세싱 인 메모리(PIM)'를 개발하고, 메모리와 다른 장치들 사이에 인터페이스를 하나로 통합해 성능·효율성을 높인 '컴퓨트 익스프레스 링크(CXL)' 메모리 개발에도 기여했다. 김 부사장은 "SK하이닉스가 HBM3와 HBM3E 개발을 통해 글로벌 AI 메모리 시장을 선점하고 대한민국의 위상을 높였듯이, 차세대 AI 메모리 개발에도 박차를 가해..
"HBM, 올해 말 선단 공정 투입 웨이퍼의 35% 차지" 트렌드포스 보고서 "수익성·수요 증가 이유로 HBM 생산 우선시" 올해 하반기에 고대역폭 메모리(HBM)가 메모리 반도체 D램의 선단 공정 웨이퍼 투입량의 35%를 차지할 것이라는 전망이 나왔다. 20일 대만 시장조사업체 트렌드포스는 3대 D램 공급사로 꼽히는 삼성전자·SK하이닉스·마이크론이 선단 공정용 웨이퍼 투입을 늘리고 있지만, 수익성과 수요 증가를 이유로 HBM 생산이 앞설 것이라고 이같이 전망했다. 4세대 HBM인 HBM3E 생산이 급증하는 가운데 각사 실리콘관통전극(TSV) 용량을 기준으로 연말까지 HBM은 선단 공정 웨이퍼 투입량의 35%에 이를 것으로 트렌드포스는 예측했다. 다만 HBM 생산 능력이 집중되면서 증설이 충분하게 이뤄지지 않으면 D램 공급 부족 현상이 일어날 수 있다고 전망했다. 트렌드포스는 "올해 안에 HBM3E가 HBM 시장의 주류로 자리 잡으면서 하반기에 출하량이 집중될 가능성이 있다"며 "메모리 성수기와 맞물려 하반기에 DDR5, LPDDR5(X) 등에 대한 시장 수요도 증가할 것"이라고 예상했다. ©(주) 데일리안 무단전재 및 재배포 금지 '어제 사랑을 과격하게 해서'…"남편과 상간녀가 홈캠에 잡혔습니다" "누나, 나야…" 매장서 옷 벗기고 성관계 요구, 거부하자 주먹 '퍽퍽퍽' 임신 자랑한 63세女, 26세 남편도 신나서 춤췄다 "2살부터 담배 뻑뻑" 하루에 2갑 그 소년…16세 모습 '충격' '2만석 매진'이라던 김호중 콘서트, 취소표만 6천석 이상?
SK하이닉스, HBM4E 양산 1년 앞당겨…2026년 목표 아시아투데이 최지현 기자 = SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리인 HBM4E를 당초 계획보다 1년 앞당긴 2026년 양산할 계획이다. 김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 13일 서울 광진구 워커힐호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 "HBM이 4세대(HBM3) 제품까지는 2년 단위로 발전해왔지만, 5세대(HBM3E) 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다"고 말했다. 아직 SK하이닉스는 HBM4E 로드맵을 공식화하지 않았으나, 개발 주기가 1년으로 단축되는 시장 상황을 고려하면 2026년에 개발을 마칠 수 있다는 해석이 나온다. 이에 SK하이닉스는 6세대인 HBM4는 내년, HBM4E는 내후년 개발을 완료할 것으로 보인다. 빈도체업계 안팎에선 HBM4E는 16단~20단 제품이 될 것이란 전망이 나온다. 이미 SK하이닉스는 HBM4 16단 제품을 2026년에 양산하겠다는 계획을 세웠다. SK하이닉스는 HBM4 이후부터는 더 많은 D램을 적층하기 위해 하이브리디 본딩..
“HBM, 내년 D램 매출 중 30% 이상 차지···가격 5~10% 상승 예측” 투데이코리아=진민석 기자 | 인공지능(AI) 시장이 커지면서 고대역폭메모리(HBM) 수요도 덩달아 급증하고 있는 것으로 나타낫다. 특히 내년에는 HBM이 전체 D램 매출의 30% 이상을 차지할 가능성과 함께 가격도 5~10% 상승할 것이란 전망이 제기됐다.7일 대만 시장조사업체 트렌드포스(Trendforce)는 전체 D램 비트(bit) 용량에서 HBM이 차지하는 비중이 2023년 2%에서 올해 5%로 상승하고, 내년에는 10%를 넘어설 것이라고 관측했다.또한 전체 D램 매출 측면에서 HBM 점유율도 지난해 8%에서 올해 21%, 내
HBM, 내년 D램의 30% 차지…삼성·SK, 수주형 커스텀으로 발전 아시아투데이 정문경 기자 = 생성형 AI 시장의 폭발적 성장으로 내년 전체 D램 매출의 30% 이상을 HBM(고대역폭메모리)이 차지할 것이란 전망이 나왔다. 세계 HBM 시장 1, 2위 SK하이닉스와 삼성전자는 치열한 기술 경쟁 속 내년까지 5세대 HBM 공급을 늘려 갈 전망이다. 6세대부터는 고객사별 특화된 AI 방향에 맞춰 맞춤형 HBM으로 발전시켜 나간다는 계획이다. 7일 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 HBM이 전체 D램 시장에서 매출 비중이 지난해 8%에서 올해 21%로 늘어나고, 내년에는 30%를 넘어설 것으로 예상했다. 세계 D램 비트(bit) 용량에서도 HBM이 차지하는 비중은 지난해 2%에서 올해 5%로 상승하고, 내년에는 10%를 넘어설 것으로 전망된다. 동시 HBM 판매 단가는 내년에 전년 보다 5∼10% 상승할 것으로 봤다. 올해 HBM 수요 성장률은 200%에 육박하며 내년에는 2배로 증가할 전망이다. 트렌드포스는 "HBM의 판매 단가는 기존 D램의 몇..
만들기도 전에 완판… HBM, 삼성·SK 수익개선 일등공신 생성형 AI 시장의 폭발적 성장으로 내년 전체 D램 매출의 30% 이상을 HBM(고대역폭메모리)이 차지할 것이란 전망이 나왔다. 세계 HBM 시장 1, 2위 SK하이닉스와 삼성전자는 치열한 기술 경쟁 속 내년까지 5세대 HBM 공급을 늘려 갈 전망이다. 6세대부터는 고객사별 특화된 AI 방향에 맞춰 맞춤형 HBM으로 발전시켜 나간다는 계획이다. 7일 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 HBM이 전체 D램 시장에서 매출 비중이 지난해 8%에서 올해 21%로 늘어나고, 내년에는 30%를 넘어설 것으로 예상했다. 세계 D램 비트(bit) 용량에서도 HBM이 차지하는 비중은 지난해 2%에서 올해 5%로 상승하고, 내년에는 10%를 넘어설 것으로 전망된다. 동시 HBM 판매 단가는 내년에 전년 보다 5∼10% 상승할 것으로 봤다. 올해 HBM 수요 성장률은 200%에 육박하며 내년에는 2배로 증가할 전망이다. 트렌드포스는 "HBM의 판매 단가는 기존 D램의 몇 배, DDR5의 약 5배에 달..
이젠 AI반도체 시대…삼성전자의 영업이익 6조 달성의 비결은? 삼성전자 반도체 첫 흑자 전환… 1조 원 달성 AI 필수품 5세대 HBM 첫 양산 반도체 사업 효과로 무역수지 21% 증가 지난 30일 삼성전자가 전년 동기보다 931.87% 급증한 1분기 영업이익을 공시했다. 5분기 만에 흑자로 전환한 부문은 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)이다. 이는 지난해 1분기 영업손실 4조 5800억 원 대비하여 1조 9,100억으로 상승한 것이다. 메모리 반도체 산업은 2년 […]
"내년 HBM 가격 최대 10% 상승" 트렌드포스 보고서…"전체 D램 비트서 HBM 점유율 내년 10%" HBM(고대역폭메모리) 가격이 내년에는 5~10% 상승할 것이라는 전망이 나왔다. 7일 대만 시장조사업체 트렌드포스는 전체 D램 비트(bit)에서 HBM 점유율 지난해 2%에서 올해 5%로 증가하고 내년에는 10%를 넘어설 것이라며 이 같이 전망했다. 시장 가치(매출) 측면에서는 올해부터 전체 D램 시장 가치의 20%를 차지하며 2025년에는 30%를 넘어설 것으로 봤다. 트렌드포스는 "HBM의 판매 단가는 기존 D램의 몇 배, DDR5의 약 5배에 달한다"며 "이러한 가격 책정은 단일 기기 HBM 용량을 늘리는 AI칩 기술과 결합해 D램 시장에서 용량과 시장 가치 모두 HBM의 점유율을 크게 높일 것"이라고 진단했다. 올해 HBM 수요 증가율은 200%에 육박하고, 내년에는 2배로 늘어날 것으로 봤다. 트렌드포스는 "2025년 HBM 가격 협상이 이미 올해 2분기에 시작됐다"며 "D램의 전체 용량 제한으로 공급업체들은 미리 가격을 5∼10% 인상했으며 이는 HBM2E, HBM3, HBM3E에 영향을 미쳤다"고 설명했다. 다만 HBM3E의 실리콘관통전극(TSV) 수율은 현재 40∼60%에 불과하기 때문에 구매자는 안정적인 제품 조달을 위해 더 높은 가격을 수용하게 됐다고 트렌드포스는 설명했다. 트렌드포스는 "모든 주요 공급사가 HBM3E에 대한 고객 자격을 통과한 것은 아니기 때문에 구매자는 안정적이고 우수한 품질의 제품을 확보하기 위해 더 높은 가격을 수용했다"며 "향후 Gb(기가비트)당 가격은 D램 공급업체의 신뢰성과 공급능력에 따라 달라질 수 있으며 이로 인해 ASP(평균판매단가) 격차가 발생하고 결과적으로 수익성에 영향을 미칠 것"이라고 말했다. 그러면서 "2025년에는 주요 AI 솔루션 제공업체의 관점에서 볼 때 HBM 사양 요구 사항이 HBM3E로 크게 전환되고 12단 제품이 증가할 것"이라며 "이런 변화는 칩당 HBM의 용량을 증가시킬 것"이라고 덧붙였다. ©(주) 데일리안 무단전재 및 재배포 금지 '어제 사랑을 과격하게 해서'…"남편과 상간녀가 홈캠에 잡혔습니다" "김정은, 매년 처녀들 골라 성행위" 北기쁨조 실체 폭로한 탈북女 女정치인, 24세 스님과 불륜…남편이 촬영·유포한 현장 상황 "성형한 적 없고 이혼은 했다" 60세 미인대회 우승女 솔직 발언 "침착해 XX" 아내 살해한 변호사 남편, 사건 당일 음성파일 공개
[컨콜] 삼성전자 “ASP D램 20%, 낸드 30% 이상 상승” 삼성전자는 30일 진행된 올해 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 “지난 1분기 제너러티브 AI 촉진 수요를 바탕으로 HBM과 서버 SSD 비중을 늘리며 출하량 확대보다 ASP(평균판매단가) 개선을 위한 수익성 확보에 주력하고 사업 포트폴리오 질적 성장을 추진했다. 출하량은 D램 10% 중반으로 감소했고 낸드는 한자릿수 초반으로 줄었다. ASP 상승폭은 D램은 20% 수준에 육박하고 낸드는 30% 초반으로 시장 기대를 상회했다. 메모리 사업은 D램과 낸드가 흑자전환했다”고 말했다. ©(주) 데일리안 무단전재 및 재배포 금지 女정치인, 24세 스님과 불륜…남편이 촬영·유포한 현장 상황 "난 레즈비언, 유부남과 성관계가 웬 말" 모텔 CCTV 경악 "문재인 아저씨, 제발 그런 말은…" 평산 간 김제동 직격 '제2의 에이즈' 라임병, 두 배 늘었다...증상과 원인은? '이재명 쏟아냈고, 윤석열 경청했다'…李, 퇴장하던 취재진 붙들면서 쏟아낸 말은
SK하이닉스, 청주에 HBM 신규공장…"AI 반도체 20조 투자" 아시아투데이 정문경·최지현 기자 = SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)의 생산량을 대폭 끌어올리기 위해 20조원이 넘는 자금을 들여 청주에 D램 생산기지를 짓기로 했다. 중요한 건 SK가 HBM 수요가 연 평균 60% 이상 크게 늘어날 것이라 전망하며 대규모 투자를 결정했다는 대목이다. 앞서 최창원 SK수펙스추구협의회 의장이 SK하이닉스를 비롯한 핵심 계열사 20여명을 불러놓고 환경변화를 미리 읽지 못했다는 식의 통렬한 반성 직후 이뤄졌다는 점에서 미래에 대한 예측 자신감을 엿볼 수 있다. 현재 투자 중인 용인 클러스터에 더해 청주에 추가 팹을 건설하면서 SK하이닉스는 국내 반도체 산업을 강국으로 발돋움시키고, 한국경제를 활성화하는 마중물 역할을 할 것이란 기대가 커진다. 24일 SK하이닉스는 이사회를 열어 충청북도 청주시에 신규 팹 M15X를 D램 생산기지로 결정하고 팹 건설에 약 5조3000억원을 투자하기로 결의했다. SK하이닉스는 내년 11월 준공과 양산 시작을 목표로 이..
SK하이닉스, 청주 반도체 팹 M15X에 5조3천억 투자…"HBM 수요 대응" 건설비 포함 20조 이상 투자…내년 11월 준공 120조 규모 용인 클러스터 투자도 차질 없이 진행 SK하이닉스가 급증하는 AI(인공지능) 반도체 수요에 선제 대응해, AI 인프라(Infra)의 핵심인 HBM(고대역폭메모리) 등 차세대 D램 생산능력(Capacity, 이하 캐파) 확장에 나선다. 회사는 24일 이사회 결의를 거쳐 충청북도 청주시에 건설할 신규 팹(Fab) M15X를 D램 생산기지로 결정하고 팹 건설에 약 5조3000억원을 투자하기로 결정했다고 밝혔다. SK하이닉스는 이달 말부터 팹 건설 공사에 본격 나서 2025년 11월 준공 후 양산을 시작할 계획이다. 장비 투자도 순차적으로 진행해 장기적으로는 M15X에 총 20조원 이상의 투자를 집행해 생산 기반을 확충한다는 방침이다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 회사 경쟁력의 근간인 국내 생산기지에 대한 투자 확대를 통해 국가경제 활성화에 기여하는 한편, 반도체 강국 대한민국의 위상을 높이고자 한다"고 강조했다. AI 시대가 본격화되면서 반도체 업계는 D램 시장이 중장기적인 성장 국면에 접어든 것으로 보고 있다. 연평균 60% 이상의 성장세가 예상되는 HBM과 함께 서버용 고용량 DDR5 모듈 제품을 중심으로 일반 D램 수요도 꾸준히 증가할 것으로 회사는 전망하고 있다. 이런 흐름에서 HBM은 일반 D램 제품과 동일한 생산량을 확보하기 위한 캐파가 최소 2배 이상 요구되는 만큼 SK하이닉스는 D램 캐파를 늘리는 것이 선결 과제라고 판단했다. 이에 따라 회사는 2027년 상반기 용인 반도체 클러스터(이하 용인 클러스터)의 첫 번째 팹 준공 전에 청주 M15X에서 신규 D램을 생산하기로 했다. M15X는 TSV 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산을 최적화할 수 있다는 장점도 고려됐다. TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술을 말한다. M15X와 함께 SK하이닉스는 약 120조원이 투입되는 용인 클러스터 등 계획된 국내 투자를 차질 없이 진행한다는 방침이다. 현재 용인 클러스터의 부지 조성 공정률은 약 26%로, 목표 대비 3%포인트 빠르게 공사가 진행중이다. SK하이닉스의 생산시설이 들어설 부지에 대한 보상절차와 문화재 조사는 모두 완료됐고, 전력과 용수, 도로 등 인프라 조성 역시 계획보다 빠르게 진행되고 있다. 회사는 용인 첫 번째 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 예정이다. SK하이닉스가 진행하는 국내 투자는 SK그룹 차원의 전체 국내 투자에서도 큰 축을 담당하고 있다. 2012년 SK그룹에 편입된 SK하이닉스는 2014년부터 총 46조원을 투자해 이천 M14를 시작으로 총 3개의 공장을 추가로 건설한다는 ‘미래비전’을 중심으로 국내 투자를 지속해왔다. 그 결과 회사는 2018년 청주 M15, 2021년 이천 M16을 차례로 준공하며 미래비전을 조기에 완성했다. 이어 추진하는 M15X와 용인 클러스터 투자는 대한민국을 AI 반도체 강국으로 발돋움시키고 국가경제를 활성화하는 마중물이 될 것으로 회사는 기대하고 있다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 “M15X는 전세계에 AI 메모리를 공급하는 핵심 시설로 거듭나 회사의 현재와 미래를 잇는 징검다리가 될 것”이라며 “이번 투자가 회사를 넘어 국가경제의 미래에 보탬이 되는 큰 발걸음이 될 것으로 확신한다”고 말했다. ©(주) 데일리안 무단전재 및 재배포 금지 女정치인, 24세 스님과 불륜…남편이 촬영·유포한 현장 상황 "성관계 한번 거절 후 허락…하고 나선 울어라" 강사 발언 '충격' 이상민 저격한 고영욱…"왜 그랬냐" 묻자 의미심장한 발언 "성관계 놀이 하자던 男초등생의 부모, 아파트 내놨다" "아내의 친언니를 성추행? 더러운 프레임" 드디어 입 연 유영재
2兆 찍을까…'AI 훈풍'에 높아지는 SK하이닉스 눈높이 감산·가격 상승·AI용 반도체 수요에 1Q 2조 초과 가능성 HBM 물량·가격 프리미엄에 낸드 흑자로 연간 13조 '정조준' 삼성전자의 1분기 반도체(DS) 실적이 '어닝 서프라이즈(깜짝 실적)'를 기록하자 시장의 시선은 자연스레 SK하이닉스를 향하고 있다. 레거시(범용) 제 감산, 반도체 ASP(평균판매단가) 상승, HBM(고대역폭메모리) 수요 증가 등 호재 요인이 맞물려 이 기간 SK하이닉스가 2조원을 넘어서는 영업이익을 거뒀을 것이라는 전망이 적지 않다. 8일 업계에 따르면 SK하이닉스는 이달 말 2024년 1분기(1~3월) 실적설명회를 갖는다. 마이크론에 이어 삼성전자 반도체가 기대 이상의 실적을 달성한 것으로 미루어 볼 때 SK하이닉스 역시 컨센서스(시장 평균 추정치)를 상회하는 영업익 달성이 유력하다. 현재 1분기 영업이익 컨센서스는 1조5056억원으로, 전분기인 2023년 4분기(3460억원) 보다 335.1% 많다. 전년 동기(-3조4023억원) 대비로는 5조원 가까이 개선된 액수다. 실적 개선 요인으로 업계는 AI 반도체 수요로 인한 D램 이익폭 증가를 꼽는다. DDR5, HBM3 주문 폭증에 D램 이익이 가파르게 늘어난 것이 주효했다. 여기에 재작년 말부터 이어진 공급 축소로 범용 제품도 가격이 반등해 1분기 실적에 보탬이 됐을 것이라는 진단이다. KB증권은 SK하이닉스의 1분기 영업이익이 2조2000억원을 기록, 컨센서스를 47% 상회했을 것으로 추정했다. D램은 전략적 공급 축소와 가격 상승으로 2조5000억원을 기록하고, 낸드도 가격 상승 효과로 영업적자가 3000억원 수준으로 줄어들었을 것으로 분석했다. 하이투자증권은 D램 영업이익 2조4000억원, 낸드 영업적자 5000억원으로 전사적으로 총 1조9000억원의 영업이익을 냈을 것으로 진단했다. 유안타증권도 예상 영업이익을 1조8900억원으로 추정했다. 일각에서는 낸드도 이 기간 소폭 흑자를 달생했을 것으로 본다. 한국투자증권은 전사 영업이익 1조9800억원을 전망하며 D램·낸드 사업이 각각 1조8590억원, 720억원의 영업흑자를 냈을 것으로 추정했다. ASP가 D램 23%, 낸드 30%(솔리다임 포함) 뛰었을 것이라는 진단에서다. 실제 낸드는 델(DELL), HP 등 서버 OEM(주문자 상표 부착 생산)업체들이 재고 감소와 낮은 계약 가격을 이유로 eSSD(엔터프라이즈 SSD) 구매를 늘리면서 최근 '훈풍'을 타고 있는 것으로 보인다. DS투자증권은 "eSSD는 1분기 20% 중반대 가격 상승에 이어 2분기에도 최대 25%의 상승이 전망된다"고 말했다. SK하이닉스의 실적 개선을 주도한 '효자 제품' HBM도 작년 4분기 보다 매출 비중이 더 늘었을 것으로 추정된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품을 말한다. 한국투자증권은 1분기 HBM 매출 비중이 15%로 지난해 4분기(14%) 보다 1%p 증가했을 것으로 봤다. SK하이닉스를 포함해 메모리 반도체 3사가 모두 상승사이클에 올라타면서 2분기(4~6월)에는 이익 개선폭이 더욱 가팔라질 것이라는 전망이 나온다. D램에서는 차세대 HBM인 HBM3E 공급이 본격화되고, 낸드도 eSSD 수요에 힘입어 ASP 상승이 뚜렷해질 것이라는 기대다. HBM3와 비교해 HBM3E 가격은 Gb(기가비트)당 20%대 초중반, 개당 가격은 80%대 중반 높을 것으로 추정된다. HBM3E부터는 SK하이닉스 단독 공급에서 3사 공급으로 달라져 동반 이익 증가가 예상된다. 여기서 얼마나 엔비디아 물량을 확보하는지에 따라 희비가 엇갈릴 것으로 보인다. SK하이닉스의 연간 영업이익 추정치는 13조2024억원이다. 하반기로 갈수록 이익폭이 늘어 작년 손실(7조7303억원)을 크게 만회할 것으로 보인다. 삼성전자 DS 부문 역시 비슷한 사이클로 연간 17조~23조원을 달성할 것이라는 전망이 나온다. 이는 삼성전자 전사 영업익 48~65%에 해당한다. 최근 발생한 대만 지진 영향으로 메모리 부문 실적은 현재 예상치를 넘어설 수 있다는 전망도 있다. 대만은 글로벌 파운드리 공급의 69%를 차지하며 글로벌 D램의 생산의 19%를 차지하는 것으로 알려졌다. 삼성전자의 경우 메모리 뿐 아니라 파운드리(반도체 위탁생산)도 영향권이다. KB증권은 "삼성이 글로벌 시장에서 모바일과 가전을 통해 AI 플랫폼으로 활용될 수 있는 20억개 하드웨어 생태계를 확보하고 있다"며 "AI 데이터센터 구축을 통한 점유율 확대를 추진중인 글로벌 빅테크 업체 입장에서는 AI 반도체 생산과 하드웨어 생태계를 동시 확보한 삼성전자가 매력적 파트너"라고 말했다. 다만 '반도체의 봄'을 가로막을 리스크요인은 여전히 상존한다. 제한적인 AI향 비중, 지속되는 미·중 리스크, D램에 비해 부진한 낸드 사업은 넘어야 할 산이다. 특히 미국은 반도체 제조 장비 등 대중국 수출 통제 수위를 높이며 동맹국을 중심으로 중국 사업에 힘을 뺄 것을 요구하고 있다. 최근에는 중국 레거시 반도체 제재 목소리도 높였다. 이 같은 중국 리스크는 삼성·SK 등 국내 업체들의 해외 생산효율 저하를 가져올 수 있다. 나이스신용평가는 최근 보고서를 통해 "미국의 대중 반도체 규제정책은 국내 메모리업계의 사업 환경에 부정적"이라며 "중국으로의 극자외선(EUV) 노광장비 반입 차단은 국내기업의 중국 내 팹의 공정 첨단화를 제약할 수 있으며, 동 팹에서 다음 세대의 칩을 생산하기 위해서는 국내 EUV 라인과의 협업이 필요함에 따라 생산효율성 저하도 야기할 수 있다"고 지적했다. ©(주) 데일리안 무단전재 및 재배포 금지 [현장] "이재명 와도 안 된다"…석촌호수 앞 셀카줄 만든 국회의원은? 배현진 "송파 현안 제대로 아시나"…송기호 "누가 먼저 했나 중요치 않아" [송파을 TV토론] 원희룡, 이재명에 돌직구…"지역에 나타나지도 않는 '낡은 국회의원' 안될 것" "성관계 한번 거절 후 허락…하고 나선 울어라" 강사 발언 '충격' D-2 총선 예상하니…여야 135~155석 ‘황금 분할’
댓글 많은 뉴스