더 얇게, 더 높은 밀도로…삼성 9세대 V낸드의 기술 혁신 비결은아시아투데이 정문경 기자 = 삼성전자가 지난달 업계 최초로 양산을 시작한 1Tb(테라비트) TLC(트리플레벨셀) 9세대 V낸드는 삼성전자만의 독보적인 기술력으로 만들어진 결과물이다. 9세대 V낸드의 기술 경쟁력은 '셀 게이트 워드 라인 형성' 공정과 'HARC 식각' 공정에 있다. 홍승완 DS부문 플래시개발실 부사장은 삼성전자가 21일 뉴스룸에 공개한 9세대 V낸드 기획·개발 담당 임원 인터뷰에서 "낸드는 고용량, 고성능 요구에 부합하는 방향으로 기술이 발전되고 있다"며 "이를 지원하기 위해 스택 당 고종횡비(HARC) 식각 공정 수를 최소화하는 기술, 고성능 소자 제조를 위한 하이 메탈 게이트 공정 기술, 다양한 조합의 멀티 본딩 기술 등을 통해 혁신을 이어갈 예정"이라고 말했다. 삼성전자는 지난달 업계 최초로 9세대 V낸드 양산을 시작하며 낸드 시장 지배력을 공고히 했다. 9세대 V낸드는 업계 최소 크기 셀과 최소 몰드(셀을 동작시키는 층) 두께가 구현돼 이전 세대보다 약 1...
반도체 제조장비 내부 오염 입자 줄이는 '내플라즈마성 소재' 국산화재료연,'내플라즈마성 세라믹 나노복합체 신조성 및 공정 기술' 국내 최초 개발 한국재료연구원(이하 재료연) 엔지니어링세라믹연구실 마호진, 박영조 박사 연구팀이 반도체 제조 장비 내부 오염 입자를 줄이는 '내플라즈마성 세라믹 나노복합체 신조성 및 공정' 기술을 개발, 반
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