삼성전자, 올해 HBM 출하 전년비 최대 2.9배 늘린다아시아투데이 정문경 기자 = 삼성전자가 올해 고대역폭 메모리(HBM) 출하량을 전년 대비 최대 2.9배 늘릴 수 있을 것으로 예상했다. 황상준 삼성전자 D램 개발실장(부사장)은 26일(현지시간) 미국 캘리포니아주 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘(MemCon) 2024'에서 올해 삼성전자의 HBM 출하량을 지난해보다 최대 2.9배로 늘릴 수 있을 것으로 전망했다. 앞서 세계 최대 IT·가전 전시회 'CES 2024' 등에서 삼성전자는 올해 HBM 출하 목표치를 작년 대비 2.5배로 제시했는데, 고객 수요에 유연하게 대응해 이보다 출하를 확대할 수 있다는 자신감이다. 삼성전자는 이번에 발표한 중장기 HBM 로드맵에서 지난해 출하량을 기준으로 HBM을 2026년에는 13.8배, 2028년에는 23.1배 출하할 계획을 소개했다. 삼성전자는 6세대 HBM인 HBM4의 경우 적층된 메모리의 가장 아래층에 컨트롤 장치인 버퍼 다이를 적용해 AI 시대 메모리 반도체 혁신을 이어간다..
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삼성전자, 올해 HBM 출하 전년비 최대 2.9배 늘린다 아시아투데이 정문경 기자 = 삼성전자가 올해 고대역폭 메모리(HBM) 출하량을 전년 대비 최대 2.9배 늘릴 수 있을 것으로 예상했다. 황상준 삼성전자 D램 개발실장(부사장)은 26일(현지시간) 미국 캘리포니아주 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘(MemCon) 2024'에서 올해 삼성전자의 HBM 출하량을 지난해보다 최대 2.9배로 늘릴 수 있을 것으로 전망했다. 앞서 세계 최대 IT·가전 전시회 'CES 2024' 등에서 삼성전자는 올해 HBM 출하 목표치를 작년 대비 2.5배로 제시했는데, 고객 수요에 유연하게 대응해 이보다 출하를 확대할 수 있다는 자신감이다. 삼성전자는 이번에 발표한 중장기 HBM 로드맵에서 지난해 출하량을 기준으로 HBM을 2026년에는 13.8배, 2028년에는 23.1배 출하할 계획을 소개했다. 삼성전자는 6세대 HBM인 HBM4의 경우 적층된 메모리의 가장 아래층에 컨트롤 장치인 버퍼 다이를 적용해 AI 시대 메모리 반도체 혁신을 이어간다..
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