곽노정 SK하이닉스 사장(CEO)이 현존 고대역폭메모리(HBM) 최대 용량인 48GB가 구현된 16단 5세대 HBM(HBM3E) 개발을 첫 공식화했다. 이는 기존 12단을 넘어선 HBM3E 최고층 제품으로 내년 양산이 예상된다.
곽노정 사장은 4일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘SK AI 서밋(SUMMIT) 2024’에서 ‘차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로’를 주제로 기조연설을 하며 이같이 밝혔다.
곽 사장은 “HBM4부터 16단 시장이 본격 열릴 것으로 보이며 이에 대비해 SK하이닉스는 기술 안정성을 확보하고자 48GB 16단 HBM3E를 개발 중”이라며 “내년 초 고객사에 샘플을 제공할 예정이다”라고 말했다.
이어 “16단 HBM3E를 생산하기 위해 12단 제품에서 양산 경쟁력이 입증된 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 활용할 계획”이라며 “백업 공정으로써 하이브리드 본딩(Hybrid bonding) 기술도 개발하고 있다”고 말했다.
앞서 5월 경기도 이천 본사에서 ‘AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 열린 기자간담회에서 곽 사장은 HBM4에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 16단 제품을 구현하겠다고 밝힌 적 있다.
곽 사장에 따르면 16단 HBM3E는 SK하이닉스 내부 분석 결과 12단 제품 대비 학습 분야에서 18%, 추론 분야에서는 32% 성능이 향상됐다. 곽 사장은 향후 추론을 위한 AI 가속기 시장이 커질 것으로 예상되는 가운데 16단 HBM3E가 향후 SK하이닉스의 AI 메모리 경쟁력을 공고히 해줄 것으로 기대했다.
곽 사장은 저전력 고성능을 강점으로 향후 PC와 데이터센터에 활용될 것으로 전망되는 LPCAMM2 모듈을 개발하고 있으며 1c㎚ 기반 LPDDR5와 LPDDR6를 개발 중이라고 설명했다. 낸드에서는 PCIe 6세대 SSD와 고용량 QLC 기반 eSSD, UFS 5.0을 준비 중이다.
곽 사장은 HBM4부터 베이스 다이(Base Die)에 로직 공정 도입 계획도 밝혔다. TSMC와의 원팀 파트너십을 기반으로 높은 경쟁력을 갖춘 제품을 제공하겠다는 목표에서다.
그는 커스텀(Custom) HBM에 대해서는 용량과 대역폭, 부가 기능 등 고객의 다양한 요구를 반영해 성능을 최적화한 제품으로 향후 AI 메모리의 새로운 패러다임이 될 것이라고 강조했다.
곽 사장은 AI 시스템 구동을 위해서는 서버에 탑재된 메모리 용량이 대폭 증가해야 한다고 설명했다. 그근 “이를 위해 SK하이닉스는 여러 메모리를 연결해 대용량을 구현하는 CXL을 준비 중”이라며 “초고용량 QLC eSSD를 개발해 고객이 더 많은 데이터를 더 작은 공간에서 저전력으로 이용할 수 있도록 준비하겠다”고 말했다.
SK하이닉스는 메모리 병목 현상을 극복하기 위해 메모리에 연산 기능을 더하는 기술을 개발하고 있다. 곽 사장은 “PIM(Processing in Memory), 컴퓨테이셔널 스토리지(Computational Storage) 같은 기술은 초거대 데이터를 다루게 될 미래의 필수 기술”이라며 “차세대 AI 시스템의 구조를 바꾸는 도전이자 AI 업계의 미래가 될 것”이라고 말했다.
곽 사장은 “월드 퍼스트, 비욘드 베스트, 옵티멀 이노베이션(World First, Beyond Best, Optimal Innovation) 세 방향성을 미래 발전의 가이드라인으로 삼았다”며 “고객과 파트너, 이해관계자들과의 긴밀한 다중 협력을 통해 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)’를 목표로 지속 성장하겠다”고 말했다.
이광영 기자 gwang0e@chosunbiz.com
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