[알파경제=차혜영 기자] SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 16Gb DDR5 D램을 개발하며 새로운 이정표를 세웠다.
회사는 10일 자사 뉴스룸 좌담회를통해 지난달 29일 이 성과를 발표하고 “AI용 초고속 D램 HBM에 이어 이번 성과로 D램 기술력을 확고히 인정받았다”고 강조했다.
1c 기술은 메모리 공정의 극미세화 기술로 동작 속도는 이전 세대보다 11% 빨라졌으며 전력 효율도 9% 이상 개선됐다. 또한 SK하이닉스는 EUV 공정에 신소재를 적용하고 설계 혁신을 통해 원가 절감까지 이루어냈다.
이번 성공의 주역들은 오태경 부사장(1c Tech TF), 조주환 부사장(DRAM 설계), 조영만 부사장(DRAM PI), 정창교 부사장(DRAM PE), 손수용 부사장(개발 TEST), 김형수 부사장(DRAM AE) 등이다. 이들은 좌담회를 통해 각자의 역할과 협업 과정을 설명했다.
오태경 부사장은 “우리는 기존의 3단계 개발 방식을 두 단계로 효율화했으며 고난도의 기술 요소를 양산 공정에서 바로 개발하는 방식을 택했다”고 밝혔다. 조주환 부사장은 “기술적 위험을 줄이면서 데이터 처리 속도를 높이고 전력 소비를 줄이는 데 성공했다”고 전했다.
조영만 부사장은 “트랜지스터 열화와 신규 소재 적용에 따른 품질 리스크를 조기에 발견하고 개선하여 소자의 신뢰성을 확보할 수 있었다”고 말했다. 정창교 부사장은 “트리밍 기술을 활용해 수율과 품질을 확보했다”고 설명했다.
손수용 부사장은 테스트 시간을 단축하기 위해 인프라를 추가로 확보했다고 밝혔고 김형수 부사장은 “8Gbps 동작이 가능한 검증 인프라를 자체 개발하여 독보적인 경쟁력을 확보했다”고 강조했다.
좌담회 참여자 모두가 한목소리로 ‘유기적인 협업’과 ‘원팀 정신’을 이번 성공의 핵심 요인으로 꼽았다. SK하이닉스는 앞으로도 차세대 D램 제품군에 1c 기술을 적용해 지속적인 혁신을 이끌어갈 계획이다.
내년부터 본격적으로 시장에 제품을 공급할 예정인 SK하이닉스는 최고 성능과 원가 경쟁력을 동시에 만족시키며 글로벌 D램 시장에서의 리더십을 더욱 강화할 것으로 기대된다.
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