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[알파경제=차혜영 기자] SK하이닉스는 10나노급 6세대 미세공정을 적용한 16Gb DDR5 D램을 개발했다고 29일 밝혔다.
SK하이닉스는 “10나노급 D램 기술의 난이도가 점차 높아졌으나 업계 최고 성능을 자랑하는 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 이번에 성공적으로 개발했다”고 강조했다.
연내 양산 준비를 마치고 내년부터 본격적인 제품 공급에 나설 계획이다.
SK하이닉스는 기존의 1b 플랫폼을 확장해 1c를 개발했다. 이는 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 최소화하고 기존의 강점을 효율적으로 계승하려는 전략이다.
반도체업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대), 1a(4세대), 1b(5세대)에 이어 1c는 6세대 기술이다. 1c나노 미세공정은 현존하는 10나노급중에서는 평균적 회로자체를 가장 좁혀놓은것이다.
SK하이닉스는 향후 7세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4E 등에 1c 기술을 적용한다는 계획이다.
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또한 EUV 공정에 신소재를 적용하고 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했으며 설계 기술 혁신으로 생산성을 이전 세대 대비 30% 이상 향상시켰다.
SK하이닉스 관계자는 알파경제에 “주요 기술적 도전 과제는 미세공정의 난이도를 극도로 높이는 것이었다”라며 “EUV공정을 최적화하고 동시에 반도체 공정개발의 레시피를 최적화해 공정을 안정 시키는것이 중요했다”고 말했다.
데이터센터에서 주로 활용될 이 제품은 동작 속도가 초당 8기가비트(Gbps)로 이전 세대보다 약 11% 빨라졌다. 전력 효율도 약 9% 개선됐다.
이는 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용해 전력 비용을 최대 30%까지 절감할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
김종환 DRAM 개발담당 부사장은 “최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 이번 기술을 차세대 HBM, LPDDR6, GDDR7 등 주요 제품군에 적용해 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것”이라고 말했다.
이어 “앞으로도 DRAM 시장에서 리더십을 유지하며 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다”라고 덧붙였다.
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