SK하이닉스는 26일 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(fab·반도체 생산공장)과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조4천억원을 투자하기로 결정했다고 밝혔다. 용인 반도체 클러스터 1기 팹은 인공지능(AI) 반도체 생산 거점이 될 전망이다.
SK하이닉스는 2025년 3월 용인 클러스터에 첫 팹을 착공해 2027년 5월 준공할 계획이다.
승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 수처리 시설, 공동구(전선로 등 지하매설물을 공동 수용할 수 있는 시설물), 변전시설 등 부대시설, 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다.
투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 올 8월부터 2028년 말까지로 산정했다.
SK하이닉스는 “기존에 정해진 일정대로 추진하기에 앞서 이사회의 투자 의사 결정을 받은 것”이라며 “회사의 미래 성장 기반을 다지고 급증하는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다”고 밝혔다.
경기 용인시 원삼면 일대 415만㎡ 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지 작업과 인프라 구축 작업이 진행 중이다.
SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 소부장(소재·부품·장비) 기업 50여곳과 함께 반도체 협력단지를 구축하기로 했다.
SK하이닉스는 1기 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 ‘글로벌 AI 반도체 생산 거점’으로 성장시킨다는 계획이다.
SK하이닉스는 용인 1기 팹에서 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이다. 팹 완공 시점의 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다.
국내 소부장 중소기업의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 ‘미니팹’을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다.
미니팹은 반도체 소부장 등을 실증하기 위해 300㎜ 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설이다. 이를 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 협력사에 제공해 자체 기술 완성도를 높일 수 있도록 지원할 방침이다.
김영식 SK하이닉스 제조기술담당 부사장은 “용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장(場)이 될 것”이라며 “대규모 산단 구축을 성공적으로 완수, 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가 경제 활성화에 기여하겠다”고 말했다.
이광영 기자 gwang0e@chosunbiz.com
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