SK하이닉스가 경기도 용인 반도체 클러스터 내 1기 팹(fab·반도체 생산공장) 착공에 돌입했다.
25일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 회사는 24일 용인 반도체 클러스터 1기 팹의 본격 착공에 들어갔다. SK하이닉스는 당초 3월부터 1기 팹 착공에 들어갈 계획이었으나 용인시가 예정보다 신속하게 인허가 절차를 진행해 2월 21일 건축을 허가하면서 착공 시점보다 계획을 앞당겼다.
용인시는 2024년 4월 SK하이닉스와 ‘생산라인 조기 착공 추진과 지역 건설산업 활성화를 위한 업무협약’을 맺었다. 이어 건축허가 태스크포스(TF)를 구성해 인허가 절차에 속도를 냈다.
경기 용인시 원삼면 일대 415만㎡(약 126만평) 규모의 부지에 구축될 용인 반도체 클러스터는 SK하이닉스 팹(약 60만평)과 소부장(소재·부품·장비) 업체 협력화단지(14만평), 인프라 부지(12만평)로 조성되는 반도체 산업단지다.
SK하이닉스는 용인 클러스터에 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이다. 1기 팹은 2027년 5월 준공이 목표다.
SK하이닉스는 이곳을 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리의 생산 거점으로 삼는다. 향후 급증하는 AI 메모리 반도체의 수요에 적기에 대응, 중장기 성장 기반을 구축할 계획이다.
SK하이닉스 관계자는 “클러스터 내 50여개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정”이라고 말했다.
최태원 SK그룹 회장은 2023년 9월 부지 조성 작업 중인 용인 클러스터 현장을 방문해 “용인 클러스터는 SK하이닉스 역사상 가장 계획적이고도 전략적으로 추진되는 프로젝트”라며 “지금까지 해오던 대로 하는 것 이상의 도전이 필요하다”고 강조했다.
이광영 기자
gwang0e@chosunbiz.com
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