수년간의 미국 제재를 뚫고 굴기를 가속화 한 중국 반도체가 한국과 기술 격차를 서서히 줄이고 있다. 고대역폭 메모리(HBM) 같은 고부가 제품 시장에도 빠르게 진입하면서 기존 강자인 삼성전자, SK하이닉스를 위협 중이다.
2016년 설립된 중국 창신메모리(CXMT)는 당국의 보조금 지원과 알리바바 등 자국 대기업의 투자 덕에 단기간 중국 최대 메모리 기업으로 성장했다. CXMT는 HBM2부터 HBM2E 제품을 양산하는 것으로 알려졌다. 또 중국 내 HBM2를 생산하는 28만㎡ 규모 공장을 건설 중인 것으로 전해졌다. CXMT는 2024년 12월 HBM과 함께 AI 메모리로 주목받는 고성능 서버용 메모리 DDR5를 출시하기도 했다.
CXMT는 범용 D램을 중심으로 생산량을 늘리며 D램 시장에 지각변동을 예고하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 CXMT의 점유율은 2022년 4%에 불과했지만 2024년 3분기 6.0%까지 올랐다. 2025년 말에는 12%까지 상승할 것이란 관측이 나온다.
CXMT의 부상에 삼성전자와 SK하이닉스는 5세대 이상 첨단 HBM으로 포트폴리오를 전환하며 대응하고 있다.
SK하이닉스는 1월 23일 열린 2024년 4분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 “올해 HBM 매출이 전년 대비 100% 이상 성장할 것이다”라며 “(6세대인) HBM4 제품은 올해 하반기 중 개발과 양산 준비를 마무리하고 공급을 시작하는 것이 목표다”라고 밝혔다.
특히 중국 업체의 공급 확대에 따른 제품 가격 하락 추세에는 오히려 기술 격차를 강조하며 자신감을 나타냈다.
SK하이닉스는 “고성능 제품에 대응하기 위해 적용하는 D램 선단 공정과 후발 업체가 적용하는 기술은 상당한 차이가 있기 때문에 품질과 성능에 확실한 차이가 존재할 것이다”라며 “HBM를 포함한 다양한 AI향 메모리 제품 개발을 통해 후발업체와 격차를 유지할 계획이다”라고 말했다.
상대적으로 HBM 개발에 뒤처진 삼성전자는 중국의 저가 물량 공세에 직격탄을 맞고 있다. HBM3E 8단과 12단 등 제품의 엔비디아 품질(퀄) 테스트 통과가 시급한 이유다.
삼성전자는 지난해 4분기 반도체 사업에서 매출(30조1000억원)은 전 분기보다 3% 증가했지만, 영업이익은 시장 기대치에 못 미친 2조9000억원에 그치며 전분기 대비 25% 줄었다.
모바일과 PC 등 수요 침체와 중국발 저가 물량 공세로 주력인 범용 메모리 반도체가 부진했던 영향이다.
또 트럼프 행정부가 관세 등 대중 수출 규제를 추가 강화할 경우 삼성전자의 타격이 불가피하다. 블룸버그 통신에 따르면 트럼프 행정부는 중국의 딥시크 발표 후 엔비디아의 저사양 AI가속기 ‘H20’의 수출 제재를 검토 중이다. H20에는 삼성전자의 HBM3가 탑재된다.
댄 허치슨 테크인사이츠 부회장은 영국 파이낸셜타임스(FT)와의 인터뷰에서 “삼성전자는 고가 제품 시장에서 SK하이닉스·마이크론, 저가 제품 시장에서 CXMT의 압박을 받는 넛크래커(nutcracker)에 낀 상황이다”라고 진단했다.
이광영 기자
gwang0e@chosunbiz.com
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