[컨콜] SK하이닉스 “HBM 매출 성장 전년 대비 300% 이상 전망”

SK하이닉스 우시 공장 전경. /SK하이닉스

SK하이닉스는 25일 개최된 올해 2분기 실적 콘퍼런스 콜에서 “올해 늘어난 TSV(실리콘관통전극) 캐파와 1B 나노 전환 투자를 기반으로 HBM3E의 공급을 빠르게 확대할 계획”이라며 “그렇게 되면 전년 대비 약 300% 이상의 HBM(고대역폭메모리) 매출 성장을 이룰 것으로 예상한다”고 밝혔다.

회사는 “올해 AI(인공지능)향 수요는 계속해서 예상치를 상회하며 성장하고 있다”며 “HBM은 일반 D램 대비 상대적으로 높은 투자 비용이 소요되는 점을 고려해 전방 수요 상황과 서플라인 체인 내 공급 여력 등을 종합적으로 검토해서 투자와 공급 계획에 반영하고 있다”고 설명했다.

이어 “내년에는 당사의 캐파 대부분이 이미 고객과 협의가 완료됐고 1월 기준 올해 대비 약 2배 이상 출하량 성장을 기대하고 있다”며 “내년에는 HBM3E 12단 제품이 주력 제품이 될 것이지만, HBM4에 대한 준비도 차질없이 준비해서 고객 수요에 안정적으로 대응할 계획”이라고 덧붙였다.