삼성ㆍSK, 지난해 이어 올해도 참가
낸드 포함한 다양한 AI 제품ㆍ기술 공개
삼성전자와 SK하이닉스가 다음 달 6~8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열리는 글로벌 반도체 행사 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2024’에 참가한다. 그간 행사가 낸드 플래시 위주로 진행됐던 것과 달리 올해는 모든 메모리로 확장된 만큼 다양한 인공지능(AI) 솔루션 및 기술이 대거 쏟아질 전망이다.
16일 업계에 따르면 삼성전자는 FMS 2024에 참가해 기조연설을 진행하고, 다양한 AI향 메모리를 전시할 예정이다.
매년 개최되는 FMS는 그간 ‘플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit)’으로 불리며, 세계 최대 규모의 낸드 행사로 자리매김해왔다. 올해는 낸드를 포함해 D램 등 전 메모리로 규모를 확장시켰다.
삼성전자 주요 임직원들은 이번 행사에서 혁신적인 제품과 AI 기술에 관해 발표할 예정이다.
구체적으로 짐 엘리엇 미주총괄 부사장, 오화석 솔루션제품엔지니어링팀 부사장, 송택상 메모리사업부 D램 솔루션팀 상무가 ‘인공지능 혁명: 메모리와 스토리지 수요의 새로운 수요 증가(The AI Revolution: Fueling New Demands for Memory and Storage)’라는 주제로 기조연설을 진행한다. 이들은 최근 AI 기술 발전으로 촉발된 반도체 수요 트렌드에 관해 소개할 것으로 보인다.
다양한 제품도 전시한다. 낸드에서는 ‘PM9E1’ 실물을 최초로 공개할 것으로 보인다. PM9E1는 생성형 AI를 지원하는 거대언어모델(LLM)을 1초 이내로 D램에 전송하는 PCIe 5.0 기반의 PC용 솔리드스테이드드라이브(SSD) 제품이다. 삼성전자는 지난달 PM9E1 개발을 완료한 것으로 알려졌다.
PM9E1 외에도 △차량용 인포테인먼트(IVI) 유니버셜 플래시 스토리지(UFS)3.1 △7세대 쿼드레벨셀(QLC) 기반의 BM1743 △하이퍼스케일 데이터센터에 적합한 PM9D3a △PM1753 등도 선보일 것으로 보인다. 아울러 5세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E, 더블데이터레이트(DDR)5 및 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 기반의 CMM-D, CMM-H, CMM-B 등 차세대 메모리 솔루션도 전시한다.
SK하이닉스도 행사에 참여해 부스를 차리고, 여러 메모리 솔루션을 선보인다.
행사 첫날에는 기조연설도 진행해 혁신적인 SK하이닉스의 AI 기술을 소개하고, 메모리 기술의 미래에 대한 통찰을 나눌 예정이다. 다만 현재 기조연설자는 알려지지 않았다. 지난해 행사에서는 최정달 낸드개발담당 부사장과 안현 솔루션개발담당 부사장이 ‘멀티모달 AI(Multimodal AI) 시대를 구현하는 업계 최고의 4D 낸드 기술 및 솔루션’이라는 주제로 기조연설을 진행했다.
올해 역시 최신 낸드 개발 기술 현황과 제품 샘플을 공개할 가능성도 점쳐진다. SK하이닉스는 지난해 행사에서 업계 최초로 321단 1Tb(테라비트) 트리플레벨셀(TLC) 4D 낸드 개발 경과와 샘플을 공개한 바 있다.
올해는 QLC 기반의 제품 개발에 주력하고 있는 만큼 기술 현황과 구체적인 로드맵을 공개할 것으로 보인다. QLC는 1개의 셀에 4비트(bit) 정보를 담을 수 있는 기술이다. 3비트를 담는 TLC 대비 저장량이 좋아 최근 증가하고 있는 데이터 센터에 더 적합한 기술로 꼽힌다. SK하이닉스는 현재 자회사 솔리다임을 통해 QLC 기반 60테라바이트(TB) 기업용 SSD를 준비하고 있다.
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