NH투자증권은 5일 코스텍시스에 대해 SiC 전력반도체용 스페이서 고객사 퀄 테스트 통과로 3분기에 본격 양산을 개시한다고 말했다. 목표주가와 투자의견은 제시하지 않았다.
강경근 NH투자증권 연구원은 “SiC 전력반도체용 스페이서 성과가 본격화한다. 스페이서는 DBC기판과 SiC칩 사이에 위치하며 칩에서 발생하는 열을 효율적으로 막아 열팽창으로 인한 칩 파손을 방지한다”면서 “기존 스페이서 시장은 ALMT, FJ Composite 등 일본 업체가 독과점했는데, 동사는 2019년부터 SiC 전력반도체용 방열 스페이스 국산화 개발을 추진하며 고방열 소재부터 패키지 제품까지 수직계열 했다”라고 설명했다.
이어 강 연구원은 “지난 5월 동사 SiC 전력반도체용 스페이서는 온세미컨덕터의 퀄 테스트 통과로, 이르면 올해 3분기 중 양산이 시작될 전망인데, 신규 차량 모델의 점유율 절반가량을 확보할 것으로 예상되며 제품 마진은 기존 RF 통신용 패키지를 소폭 상회하는 수준으로 추정한다”면서 “ST마이크로, 비스테코 등 그간 시제품을 공급해온 고객사들도 이르면 올해 말 긍정적인 퀄 테스트 결과 발표할 것으로 기대한다”고 말했다.
아울러 그는 “가파르게 증가하는 SiC 전력반도체용 스페이서 수요에 선제적으로 대응하기 위해 추가 증설에 나설 것으로 동사는 현재 2차 증설에 이어 3차 증설까지 계획 중”이라면서 “동사의 실적은 올해 턴어라운드를 시작으로 본격적인 성장궤도에 진입할 것으로 보이는데, 2025F PER은 12.1배 수준으로 스페이서 양산 본격화와 AMB Substrate 등 전력반도체 분야 신규아이템 개발 등을 감안하면 주가 업사이드는 풍부하다고 판단한다”라고 했다.
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