SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장이 2일 이천 본사에서 ‘AI시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 기자 간담회를 진행하고 있다.ⓒSK하이닉스
SK하이닉스가 5세대 HBM(고대역폭메모리) HBM3E의 수율(양품 비율)이 80%에 육박했다고 밝혔다.
권재순 SK하이닉스 수율 담당 임원(부사장)은 21일(현지시간) 영국 파이낸셜타임스(FT)와의 인터뷰에서 “HBM3E 칩 양산에 필요한 시간을 50% 단축했다. 해당 칩은 목표 수율인 80%에 거의 도달했다”고 말했다.
SK하이닉스가 HBM3E 수율 정보를 외부에 공개한 것은 이번이 처음이다. 그간 업계에서는 SK하이닉스의 HBM3E 수율을 60∼70% 정도로 추정했었다.
권 부사장은 “올해 우리 목표는 8단 HBM3E 생산에 주력하는 것”이라며 “인공지능(AI) 시대에 앞서나가기 위해 수율을 높이는 것은 더욱 중요해지고 있다”고 했다.
D램 여러 개를 수직으로 쌓는 HBM은 일반 D램보다 공정 난도가 높아 제조 기업은 수율 안정화에 어려움을 겪어왔다. 특히 HBM3E는 핵심 부품인 실리콘관통전극(TSV) 수율이 40∼60% 수준으로 낮아, 이를 끌어올리는 것이 주요 과제로 꼽힌다.
SK하이닉스는 AI 반도체 시장을 장악한 엔비디아에 HBM3를 사실상 독점 공급한 데 이어 지난 3월에는 HBM3E 8단 제품을 납품하기 시작했다. HBM3E 12단 제품은 올해 3분기 공급 예정이다. HBM4(6세대) 12단 제품은 내년, 16단 제품은 2026년에 양산한다.
SK하이닉스가 차세대 D램 개발에 속도를 내는 것은 AI 시장이 그만큼 빠르게 성장하고 있기 때문이다. SK하이닉스는 2023년 전체 메모리 시장의 약 5%(금액 기준)를 차지했던 HBM과 고용량 D램 모듈 등 AI 메모리 비중이 5년 뒤인 2028년에는 61%에 달할 것으로 내다봤다.
댓글0