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삼성전자가 올해 하반기 중으로 쿼드레벨셀(QLC) 기반 낸드플래시 제품을 집중 개발해 인공지능(AI)용 고용량 스토리지 시장에 적극 대응하겠다고 밝혔다.
21일 현재웅 삼성전자 반도체(DS)부문 상품기획실 상무는 삼성전자 홈페이지를 통해 “AI용 고용량 스토리지 서버에 대한 관심이 높아지고 있다”며 이같이 말했다.
AI 시대에는 초고속 병렬 연산을 지원하는 고대역폭메모리(HBM) 외에도 다양한 메모리 제품이 필요하다. 특히 언어 모델 데이터 학습을 위해 대규모 데이터를 저장할 수 있는 공간이 필요하고 추론 단계에서 알고리즘이 빠르게 동작하기 위한 고성능 스토리지가 필수다. 현 상무는 “AI용 데이터센터 전력 비용에 제한이 있어 고용량 메모리가 필요하다”며 “멀티모달 AI 모델 확산으로 고성능 스토리지 수요도 늘고 있다”고 설명했다. 또 “생성형 AI를 넘어 스스로 학습하는 머신의 데이터를 처리할 더 많은 스토리지가 필요하다”며 “중장기 관점에서 낸드플래시 시장은 견조한 흐름을 보일 것”이라고 예상했다.
이러한 흐름에 따라 삼성전자는 QLC 낸드 개발에 박차를 가하고 있다. QLC는 한 개의 저장 공간 안에 네 개의 비트(0또는 1)를 저장할 수 있는 장치다. 1~3개 비트를 저장할 수 있는 방식보다 동일 면적 대비 많은 데이터를 저장할 수 있고 데이터를 바깥으로 빼내는 속도 역시 빠르다. 현 상무는 “삼성전자는 AI 서버용 제품을 중심으로 제품군 구성을 강화하고 있다”고 전했다.
삼성전자는 지난달 업계 최초로 1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 9세대 V낸드 양산을 시작하며 낸드 시장 지배력을 공고히 했다. 9세대 V낸드는 업계 최소 크기 셀과 최소 두께의 칩 동작층(몰드)이 구현돼 이전 세대보다 약 1.5배 높은 비트 밀도를 갖췄다.
홍승완 플래시개발실 부사장은 “낸드는 고용량, 고성능 요구에 부합하는 방향으로 기술이 발전되고 있다”며 “이를 지원하기 위해 스택 당 고종횡비(HARC) 식각 공정 수를 최소화하는 기술, 고성능 소자 제조를 위한 하이 메탈 게이트 공정 기술, 다양한 조합의 멀티 본딩 기술 등을 통해 혁신을 이어갈 예정”이라고 말했다.
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