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SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리인 HBM4E를 당초 계획보다 1년 앞당긴 2026년 양산할 계획이다.
김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 13일 서울 광진구 워커힐호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 “HBM이 4세대(HBM3) 제품까지는 2년 단위로 발전해왔지만, 5세대(HBM3E) 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다”고 말했다.
아직 SK하이닉스는 HBM4E 로드맵을 공식화하지 않았으나, 개발 주기가 1년으로 단축되는 시장 상황을 고려하면 2026년에 개발을 마칠 수 있다는 해석이 나온다. 이에 SK하이닉스는 6세대인 HBM4는 내년, HBM4E는 내후년 개발을 완료할 것으로 보인다.
빈도체업계 안팎에선 HBM4E는 16단~20단 제품이 될 것이란 전망이 나온다. 이미 SK하이닉스는 HBM4 16단 제품을 2026년에 양산하겠다는 계획을 세웠다. SK하이닉스는 HBM4 이후부터는 더 많은 D램을 적층하기 위해 하이브리디 본딩을 적용할 수 있다는 입장도 내비쳤다. 하이브리드 본딩은 칩 사이의 범프를 없앨 수 있어 더 많은 D램을 쌓을 수 있다.
업계에선 SK하이닉스가 HBM4E에는 10나노급 6세대(1c) D램을 처음으로 적용할 것으로 내다보고 있다. 이를 통해 HBM4E부터는 저장 용량을 크게 늘릴 수 있을 전망이다. 지금까지 SK하이닉스는 10나노급 5세대(1b) D램을 활용해 HBM3E와 HBM4를 만들었다.
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