[데일리임팩트 황재희 기자] SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 ‘HBM4E’ 양산 계획을 2026년으로 앞당겼다. 인공지능(AI) 메모리 경쟁이 가속화되면서 고객사의 요구에 선제 대응해 차세대 HBM 주도권을 이어나가기 위해서다.
13일 업계에 따르면 김귀욱 SK하이닉스 TL(테크니컬 리더)은 13일 서울 광진구 그랜드 워커힐 서울에서 개최된 ‘국제메모리워크숍(IMW 2024)’에서 차세대 HBM 개발 로드맵을 공개하며 이같은 내용을 밝혔다.
SK하이닉스는 지난 2014년 AI 반도체 칩에 탑재되는 HBM을 개발한 후 2년 단위로 신제품을 선보여왔다. 2018년 2세대인 HBM2 를 내놓은 후 2020년에는 3세대인 HBM2E를 공개했다. 이어 4세대 제품인 HBM3(2022년)에 이어 올해 5세대인 HBM3E 를 탄생시켰다.
김 TL은 “HBM 1세대가 개발된 후 2년 단위로 세대를 거듭해 발전했지만 HBM3E 부터는 1년 단위로 세대가 변하고 있다”고 진단했다. 이어 김 TL은 “HBM4 의 경우 이전 세대 대비 대역폭은 1.4배, 집적도는 1.3배, 전력 효율은 30% 개선될 것”이라며 구체적인 성능을 밝히기도 했다.
업계에서는 이같은 언급을 HBM4(6세대)와 HBM4E(7세대)는 2년 단위가 아닌 1년 단위로 시장에 출시된다는 것으로 이해하고 있다.
실제 차세대 HBM에서 SK하이닉스를 추격하고 있는 삼성전자는 HBM4를 2025년에 양산한다고 올 초 공개하기도 했다. SK하이닉스 역시 내년 초로 앞서 공개한 HBM3E 양산 계획을 올해로 앞당기는 한편 이달 초 12단 HBM4 을 당초 목표인 2026년에서 2025년으로 더 빠르게 양산한다고 밝혔다.
이날 SK하이닉스는 HBM4에 도입하기로 한 ‘하이브리드 본딩’ 공정 방식은 ‘수율’ 문제로 HBM4 에 적용이 어려울 수도 있다는 점을 내비쳤다. 하이브리드 본딩 공정은 기존 MR-MUF 방식에서 업그레이드 된 기술이다.
김 TL은 “HBM4에서 주력 공정인 MR-MUF는 물론 하이브리드 본딩도 연구하고 있지만 현재까지 이 방법은 수율이 높지 않다”고 말했다.
한편 IMW 2024는 IEEE 전자소자협회에서 주최하는 세계적 권위의 메모리 기술 학회로 지난 12일 개막해 오는 15일까지 열린다.
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