평택 투자 및 HBM/DDR5 등 첨단공정 생산 능력 확대

삼성전자가 1분기에 11조3000억원 규모의 시설 투자를 단행했다고 30일 밝혔다. 사업별로는 DS(반도체)가 9조7000억원, 디스플레이 1조1000억원 수준이다.
메모리의 경우 기술 리더십 강화를 위한 R&D(연구개발) 투자를 지속하고 특히 HBM(고대역폭메모리)/DDR5 등 첨단 제품 수요 대응을 위한 설비 및 후공정 투자에 집중했다.
파운드리(반도체 위탁생산)는 중장기 수요에 기반한 인프라 준비 및 첨단 R&D를 중심으로 투자를 지속했으며 설비 투자의 경우 시황을 고려해 탄력적으로 운영했다.
디스플레이는 IT OLED(유기발광다이오드) 및 플렉시블 제품 대응 중심으로 투자가 집행됐다.
삼성전자는 앞으로도 미래 경쟁력 확보를 위한 시설투자 및 R&D 투자를 꾸준히 이어갈 방침이다.
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