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SK하이닉스의 용인 최첨단 반도체 단지가 내년 3월 첫 삽을 뜬다. 앞서 수년간 더디게 진행됐던 사업이 이번 정부 출범 이후 당·정·지자체·기업간 상생협약으로 본궤도에 올랐다는 평가다. SK하이닉스의 최대 생산 거점이 될 용인 클러스터에선 12인치 웨이퍼 기반의 첨단 메모리 칩이 만들어질 예정이다.
21일 산업통상자원부에 따르면 용인 반도체 클러스터 생산 팹 1기가 내년 3월 착공된다. 첫 번째 1기 팹 부지의 공정률은 현재 약 35%로, 부지 조성 공사가 차질 없이 진행 중이다. 오는 2046년까지 총 4기 팹 구축을 목표로 한다. 4개 팹이 모두 완공되면 세계 최대 규모 3층 팹이 조성될 것으로 기대된다.
앞서 착공 지연으로 5년 가까이 땅 고르기 작업에만 몰두했던 용인 반도체 클러스터가 본격 추진에 나서는 것이다. 오는 2026년 말 완공해 2027년 2분기 첫 가동이 목표다. 앞서 구축 계획은 지난 2019년 2월 발표됐지만, 인접 지방자치단체의 반발, 전력·용수 인허가 지연, 토지 보상 문제 등으로 착공이 다섯 차례 이상 지연돼 왔다.
10년간 120조원을 들여 반도체 팹 4곳이 완성될 용인 클러스터에선 한 팹 당 12인치 웨이퍼 기준 월 20만 장씩, 최대 80만 장이 생산될 전망이다. AI(인공지능) 반도체와 HBM(고대역폭메모리) 수요가 증가하는 상황에서 AI 반도체 시장 선점을 위한 반도체 기술력 확보와 수출 진작이 이곳에서 이뤄진다.
정부는 이를 위한 종합전략을 조속히 마련하고, 반도체 장비 경쟁력 강화 방안을 올해 상반기에 마련할 계획이다. 이날 안덕근 산업통상자원부 장관은 기업 간담회를 갖고 인프라의 적기 구축과 초격차 기술 확보 및 수출 확대 지원, 반도체 소부장·팹리스 생태계 강화를 약속했다. 올해 3월까지 반도체 등 첨단특화단지 지원 전담부서 설치와 ‘첨단전략산업 특화단지 종합 지원방안’을 마련할 예정이다.
클러스터 내 경쟁력 있는 반도체 생태계 조성도 차질 없이 진행되고 있다. 정부는 소부장 기술의 양산 검증 테스트베드인 용인 ‘미니팹 사업’에 대한 예비타당성 조사를 진행하고, 소부장·팹리스 기업들을 대상으로 정책자금을 공급할 예정이다.
안덕근 장관은 “반도체 초격차는 속도에 달린 만큼 우리 기업이 클러스터 속도전에서 뒤처지지 않도록 전 부처가 합심하여 대응하겠다”며 “올해 기업들이 반도체 1200억 달러(약 159조3960억원) 수출 목표를 달성할 수 있도록 HBM 등 첨단 반도체의 수출 확대를 적극 지원하겠다”고 말했다.
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