SK하이닉스, HBM3E 세계 최초 대량 양산…엔비디아에 납품 시작(종합)

(서울=연합뉴스) 장하나 기자 = SK하이닉스[000660]가 메모리 업체 중 가장 먼저 고대역폭 메모리(HBM) 5세대인 HBM3E D램을 인공지능(AI) 반도체 시장의 ‘큰 손’ 고객인 엔비디아에 납품한다.

HBM3에 이어 HBM3E도 세계 최초로 대규모 양산에 돌입하며 HBM 시장 주도권을 굳힌다는 계획이다.

SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 이달 말부터 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 이는 SK하이닉스가 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만이다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치·고성능 제품으로, 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다. HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다.

SK하이닉스는 “HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에 공급하게 됐다”며 “HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁우위를 이어 가겠다”고 밝혔다.

앞서 마이크론이 지난달 26일(현지시간) 올해 2분기 출시 예정인 엔비디아의 H200 그래픽처리장치(GPU)에 탑재될 HBM3E(24GB 8단) 양산을 시작했다고 발표한 바 있으나, 실제 HBM3E 납품을 위한 대량 양산은 SK하이닉스가 처음인 것으로 알려졌다.

HBM3 시장의 90% 이상을 점유한 SK하이닉스는 지난 1월 차세대인 HBM3E 8단 제품의 초기 양산을 시작하고, 고객 인증 등을 준비해 왔다.

SK하이닉스가 이번에 선보인 HBM3E는 초당 최대 1.18테라바이트(TB)의 데이터를 처리한다. 이는 풀-HD급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.

효과적인 발열 제어를 위해 신제품에 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용, 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다.

SK하이닉스의 독자 기술인 MR-MUF는 적층한 칩 사이에 보호재를 넣은 후 전체를 한 번에 굳히는 공정으로, 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 기존 방식과 비교해 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적인 것으로 평가된다.

SK하이닉스는 HBM3E 12단 제품도 고객 일정에 맞춰 제품화를 진행 중이다. SK하이닉스 측은 “12단 제품도 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준 규격에 맞춰 8단과 같은 높이로 구현할 것”이라고 설명했다.

앞서 지난달 20일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 국제고체회로학회(ISSCC) 콘퍼런스에서는 HBM3E 16단 기술을 세계 최초로 공개하기도 했다.

류성수 SK하이닉스 부사장은 “이번 세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다”며 “그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 ‘토털 AI 메모리 프로바이더’로서의 위상을 굳혀 나가겠다”고 말했다.

한편, AI 시장 확대로 글로벌 메모리 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중은 더 커질 전망이다.

시장조사업체 트렌드포스에 따르면 HBM 매출이 전체 D램 매출에서 차지하는 비중은 2022년 2.6%, 2023년 8.4%에서 올해 20.1%로 상승할 것으로 예상된다.

트렌드포스는 “올해 HBM의 연간 비트그로스(비트 단위로 환산한 생산량 증가율)는 260%에 이를 것”이라며 올해 웨이퍼 기준 HBM 생산능력(캐파)이 삼성전자 월 13만장, SK하이닉스 월 12만∼12만5천장, 마이크론 월 2만장 수준으로 늘어날 것으로 예측했다.

hanajjang@yna.co.kr