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| 삼성전자 평택 반도체 캠퍼스 2라인 전경 |
삼성전자 (69,500원 ▼300 -0.43%) 반도체(DS)부문이 올해 2분기 매출 14조 7300억 원, 영업손실 4조 3600억 원을 기록했다고 27일 공시했다. 전분기(-4조 5800억 원)에 이어 2개 분기 연속 4조 원대 적자다. 다만 매출이 1조원 늘면서 영업손실 폭도 1800억원 가량 줄었다.
삼성전자는 주력제품인 D램 출하량이 늘면서 전분기 대비 메모리반도체 실적이 개선됐다고 밝혔다. DDR(더블데이트레이트)5, HBM(고대역폭메모리) 등 AI(인공지능)향 고성능 메모리 수요가 증가했다. 재고 역시 지난 5월을 기준으로 피크아웃(Peak out, 정점 후 하락)에 진입한 것으로 봤다.
시스템LSI는 전방산업인 스마트폰 부진으로 모바일용 부품 수요 회복이 지연되고, 이에 따라 고객사가 재고 조정에 나서면서 실적이 다소 부진했다. 파운드리 역시 글로벌 경기 침체로 주요 응용처 수요가 약해 라인 가동률이 하락하면서 이익이 줄었다.
삼성전자는 3분기 거시경제 리스크로 인한 수요 회복 관련 불확실성이 계속될 것이라 보면서도, IT(정보기술)수요와 경기가 점진적으로 회복될 것이라 전망했다.
반도체부문은 고부가 제품 판매와 신규 수주 확대에 주력한다는 방침이다. 메모리의 경우 하반기 시황에 발맞춰 공급 운영을 유연하게 해 포트폴리오를 고부가가치·고용량 제품 중심으로 최적화한단 계획이다. 특히 고성능 서버와 프리미엄 모바일 제품 분야에서 △DDR5 △LPDDR5x △HBM 등 첨단 D램 제품의 비중을 더욱 확대하고 V7, V8 등 낸드 첨단 공정 비중을 확대할 예정이다.
시스템LSI는 모바일 SoC(시스템온칩) 분야에서 플래그십 모델용 제품 성능을 확보하고, 스마트폰 외 신사업 솔루션을 확장하기 위해 고객사와의 협력을 강화한다. 또 차량용 SoC에서 유럽 OEM(주문자상표부착생산) 과제 수주에 집중해 응용처 다변화를 추진한다.
파운드리는 PPA(Power:소비전력, Performance:성능, Area:면적)가 개선된 3나노 및 2나노의 GAA(게이트올어라운드) 공정 개발 완성도 향상과 대형 고객사 수주 확대를 꾀한다. 또 8나노 eMRAM (임베디드MRAM) 개발 진행 등 레거시(구형) 공정 개발을 지속하고 8인치 오토모티브용 기술 개발 등 제품 포트폴리오를 확대할 계획이다.
삼성전자는 경기 불황에도 불구하고 장기 성장을 위해 투자는 지속한다. 2분기 DS부문에만 13조5000억원을 투자했고, 상반기 누계로는 23조2000억원을 투입했다. 메모리의 경우 중장기 공급성 확보를 위한 평택공장 3기 마감, 4기 골조 투자 등 평택 중심 설비 투자를 진행했다. 또 미래 경쟁력 강화를 위한 R&D 및 패키징 등 후공정 투자도 지속했다.
파운드리는 첨단공정 수요 대응을 위한 미국 텍사스 테일러와 평택 공장 중심으로 투자가 진행됐다.
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