[아이뉴스24 권용삼 기자] 내년 전체 고대역폭메모리(HBM) 수요의 80% 이상을 5세대 제품인 ‘HBM3E’가 차지할 것이라는 전망이 나왔다. 특히 이 가운데 절반 이상은 ‘HBM3E 12단’ 제품이 될 것으로 예측됐다.
2일 업계에 따르면 시장조사업체 트렌드포스는 최근 “인공지능(AI) 플랫폼이 차세대 HBM 제품을 더 많이 채택하면서 내년 전체 HBM 수요의 80% 이상이 ‘HBM3E’에 집중될 것”이라며 “내년 하반기에는 HBM 시장의 주류 제품은 HBM3E 8단에 이어 12단 제품이 될 것”이라고 전망했다.
이어 “삼성전자, SK하이닉스, 미국 마이크론은 각각 올해 상반기와 3분기에 ‘HBM3E 12단’ 샘플을 고객사에 제출하고 현재 검증을 진행 중”이라며 “내년에는 HBM이 전체 D램 비트 생산량의 10%를 차지하고, D램 시장 수익에 대한 HBM 기여도는 30%를 초과할 것”이라고 덧붙였다.
실제 업계에선 엔비디아의 차세대 제품인 ‘B200’, ‘GB200’과 AMD의 ‘MI325’, ‘MI350’ 등과 같은 제품에서 ‘HBM3E 12단’이 채택될 것으로 보고 있다. 이에 SK하이닉스는 최근 메모리 업체 중 가장 먼저 현존 최대 용량인 36GB ‘HBM3E 12단’ 제품 양산에 돌입하고, 연내 엔비디아에 제품을 공급한다는 방침이다.
이와 함께 트렌드포스는 메모리 업체들이 HBM 시장 성장에 따라 메모리 칩을 적층해 대용량을 구현하는 기술인 ‘실리콘관통전극(TSV) 공정’의 캐파(생산능력) 확장을 계획하고 있다고 전했다.
트렌드포스는 “삼성전자는 TSV 생산량을 올해 말 월 12만장에서 내년 말에는 40% 증가한 17만장으로 늘릴 예정이며, SK하이닉스 역시 내년 말까지 TSV 생산량을 올해 말 대비 25% 확대할 계획”이라며 “이는 업체들이 TSV 공정을 활용하는 HBM 등 차세대 D램의 캐파를 더욱 늘리겠다는 의미로 풀이된다”고 설명했다.
다만 업계 일각에선 메모리 업체들의 이 같은 공격적인 캐파 확대에 따라 내년 HBM 공급 과잉에 대한 우려도 함께 제기되고 있는 상황이다. 이에 대해 트렌드포스는 “일부 D램 공급 업체의 공격적인 TSV 공정 용량 확장이 내년 HBM 공급 과잉과 가격 하락으로 이어질 수 있다는 시장의 우려가 있다”며 “증설이 완전히 실현될 수 있을지는 제품의 성공적인 검증에 달려 있으며, HBM의 안정적인 수율 달성이 중요하다”고 내다봤다.
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