매그나칩이 스마트폰 배터리 보호 회로용 8세대 MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: 매그나칩의 최신 Trench MOSFET 제품군 중 12V~40V MOSFET) 신제품을 출시했다고 밝혔다.
매그나칩은 이번에 새롭게 출시된 12V Dual N-channel MOSFET(MDWC12D024PERH)에 자체 개발한 슈퍼 쇼트 채널 펫 2(SSCFET® II: Super-Short Channel FET II) 기술을 처음 도입했다. 슈퍼 쇼트 채널 펫 2는 MOSFET이 동작할 때 전류가 흐르는 채널의 길이를 줄여 온저항(RSS(on): MOSFET이 ON 동작할 때 직렬(Common drain)로 연결된 MOSFET 소스 단자 사이의 저항)을 낮추는 매그나칩의 최신 설계 기술을 말한다.
이 제품은 슈퍼 쇼트 채널 펫 1(SSCFET® I: Super-Short Channel FET I) 기술을 적용한 동일 규격의 자사 이전 세대 제품과 비교해 온저항이 약 22% 감소했다. 이렇게 전력 손실이 감소하면 스마트폰 충전 시간이 단축되고, 고속 충전 모드에서는 스마트폰 내부 온도가 약 12% 낮아진다.
글로벌 스마트폰 제조사들이 AI 기능을 강화한 스마트폰을 출시하면서 MOSFET 제품의 중요성이 커지고 있다. 이번에 출시된 매그나칩의 12V MXT LV MOSFET은 높은 전력 효율을 특징으로 하여 온 디바이스 AI 스마트폰과 같은 프리미엄 스마트폰의 배터리 보호 회로에 적용될 수 있다.
시장조사업체 옴디아에 따르면 2024년 온디바이스 AI 스마트폰 출하량은 2024년부터 2028년까지 연평균 50% 성장해 2028년에는 6억 600만 대에 달할 것으로 예상된다.
김영준 매그나칩 대표는 “올해 하반기에도 고밀도 셀 트렌치 기술을 개발해 스마트폰, 스마트워치, 이어폰 등을 타겟으로 한 고성능 파워 솔루션을 지속적으로 출시할 계획”이라고 말했다.
이원지 기자 news21g@etnews.com
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