[한국금융신문 홍윤기 기자] 이재연 SK하이닉스 부사장은 “이머징 메모리(Emerging Memory)가 통해 반도체 산업의 새 패러다임을 제시할 것”이라고 강조했다.
22일 이 부사장은 이날 SK하이닉스 뉴스룸과의 인터뷰를 통해 이같이 밝혔다. 이 부사장은 지난해 말 임원 인사에서 차세대 반도체 연구·개발 조직인(Revolutionary Technology Center)’의 신임임원으로 선임됐다.
이 부사장은 램 선행 프로젝트 연구를 시작으로 ReRAM, MRAM, PCM, ACiM을 비롯한 이머징 메모리 개발을 이끌어온 반도체 소자 전문가다.
이머징 메모리는 기존 메모리의 한계를 돌파할 새로운 솔루션으로 주목받고 있다. 현재 SK하이닉스는 현재 SOM, Spin, 시냅틱(Synaptic) 메모리, ACiM 등 이머징 메모리 솔루션을 구현하고 있다.
SOM은 메모리와 셀렉터(Selector) 역할을 모두 수행할 수 있는 두 개의 전극과 듀얼 기능 재료로 구성된 반도체다. Spin은 전자가 갖는 스핀 운동 특성을 반도체에 응용하는 기술로 초고속·초저전력이 특성이 있다. 시냅틱 메모리는 인간 두뇌의 신경망을 모사할 수 있어 고효율 컴퓨팅 구조를 구현할 수 있다.
이 부사장은 SK하이닉스 글로벌 경쟁력을 높이기 위해서는 세계 각계각층과 협업 체계를 강화해야 한다고 강조했다. 이 부사장은 국내외 반도체 기업, 대학, 연구기관과의 풍부한 협업 경험을 토대로 ORP(Open Research Platform)를 구축하는 등 SK하이닉스 경쟁력 향상에 기여했다는 평가를 받고 있다.
이 부사장은 “미래 반도체 시장에서는 단일 회사만의 노력으로는 성공할 수 없을 것”이라며, “산·학·연 등 다양한 기관과의 협업이 필수적이고, 환경 변화에 맞춰 유연한 논의가 가능한 새로운 체계가 중요하다”고 설명했다.
새로운 요소 기술(제품의 특성 변화와 개선을 구현하는 데 필요한 핵심적인 기술)의 개발도 강조했다. 이 부사장은 HBM(고대역폭 메모리) 핵심기술인 TSV를 그 예로 들었다.
TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 상하층 칩의 구멍을 수직 관통하는 전극으로 연결하는 방식으로 HBM의 핵심기술로 꼽힌다.
SK하이닉스는 지난해 1분기까지만해도 D램 시장점유율 23.9%로, 미국 마이크론(28.2%)에 2위자리를 내주기도 했다. 그러나 곧 HBM이 AI칩 핵심 메모리로 떠오르면서, SK하이닉스도 위기에서 벗어나 삼성전자의 D램 1위 자리를 넘보는 등 반전에 성공했다.
이 부사장은 “HBM의 중요 요소 기술인 TSV는 15년 전 미래 기술 중 하나로 연구가 시작됐다”며 “AI 시대를 예견하고 개발한 기술이 아닌 TSV가 오늘날 대표적인 AI 반도체 기술로 손꼽히고 있는 것처럼 급변할지 모르는 미래를 대비해 또 다른 멋진 요소 기술 개발에 힘써야 한다”고 강조했다.
홍윤기 한국금융신문 기자 ahyk815@fntimes.com
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