[아이뉴스24 박정민 기자] 삼성전자의 반도체 관련 핵심 기술을 중국 업체에 빼돌린 전직 임직원들이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(안동건 부장검사)는 27일 중국 반도체회사 ‘청두가오전’ 대표 A(66)씨, 개발실장 B(60)씨를 산업기술보호법·부정경쟁방지법 위반 등 혐의로 구속기소했다고 밝혔다.
두 사람은 지난 2019년 중국 지방정부로부터 4천억원 상당을 투자받아 삼성전자 국가핵심기술인 D램 공정기술을 부정사용해 중국에서 ’20나노 D램’ 반도체를 개발한 혐의를 받는다.
A씨는 삼성전자 상무, 하이닉스반도체(SK하이닉스 전신) 부사장을 지낸 바 있으며 국내 반도체 업계에서 30년을 근무한 핵심인력이기도 했다. B씨는 삼성전자에서 D램 메모리 수석연구원으로 근무했다.
D램 공정기술은 삼성전자가 4조원을 투입해 개발한 국가핵심기술이다. 피고인들은 이를 빼돌려 1년 반 만에 D램 반도체 공정 기술을 개발해 중국에서 두 번째로 D램 시범 웨이퍼 생산에 성공했다.
검찰은 경찰과 긴밀히 협력해 피고인들을 구속했으며 추가 수사를 통해 A씨가 860억원 상당 청두가오전 지분과 18억원의 보수를 받아 챙긴 사실도 파악했다.
검찰 관계자는 “글로벌 반도체 회사도 통상 4~5년이 걸리는 기술을 1년 반 만에 개발했다. 최종 양산에 성공할 경우 피해가 최소 수십조원에 달했을 것”이라며 “앞으로도 기업과 국가경제를 위협하는 기술유출 범죄에 엄정 대응하겠다”고 전했다.
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