SK하이닉스, “차세대 HBM 공급, 내년 공급계획까지 논의 중”

SK하이닉스가 인공지능(AI) 핵심 메모리인 차세대 고대역폭메모리(HBM)의 적기 공급을 위해 내년 계획을 미리 논의하고 있다고 밝혔다.

30일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 최근 회사 신임 임원 좌담회에서 김기태 부사장은 “현재 시장 상황을 보면, 빅테크 고객들이 AI 시장 주도권을 확보하기 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다”고 말했다. 

그러면서 “이에 맞춰 우리는 차세대 HBM 제품 등을 적기에 공급할 수 있도록 올해에 이어 내년까지의 계획을 미리 논의하는 중”이라고 했다.

HBM 시장에서 우위를 점한 SK하이닉스는 지난 3월 세계 최초로 HBM 5세대 제품 HBM3E 양산에 들어갔으며, 6세대 제품인 HBM4 양산 시점도 내년으로 앞당겨 글로벌 투자와 기업 간 협력으로 차세대 기술력을 확보한다는 전략이다.

분야 간 벽이 허물어지는 미래에 대비한 준비도 AI 시대를 이끌어가는 SK하이닉스의 경쟁력으로 꼽혔다. 

손호영 어드밴스드 패키징 개발 부사장은 “HBM의 성공은 고객과의 협력은 물론, 내부 부서 협업 과정에서도 이전보다 열린 방식으로 일해왔기에 가능했던 일”이라며 “앞으로 더 다양해질 시장 요구에 부응하려면 메모리와 시스템, 전공정과 후공정의 경계가 허물어지는 이종 간 융합을 위한 협업을 준비해야 한다”고 강조했다.

AI 산업 확장과 함께 새로운 메모리 시장이 열리고 있다는 분석도 나왔다. 

오해순 낸드 어드밴스드 PI 부사장은 “그동안 AI 산업에서 낸드에 대한 주목도가 높지 않았지만, 대용량 AI 서버 수요가 늘면서 eSSD 같은 낸드 설루션이 각광받기 시작했다”며 “여러 분야에서 신시장이 열리는 만큼 다양한 메모리 제품들이 주목받는 상황”이라고 설명했다.

이재연 글로벌 RTC 부사장은 “차별화된 기술력을 갖추기 위해 기존 메모리의 한계를 뛰어넘는 ‘이머징 메모리’에 대한 관심도 커지고 있다”며 “특히 기존 D램의 고속 성능과 낸드의 고용량 특성을 동시에 갖춘 자기 저항 메모리(MRAM), 저항 변화 메모리(RRAM), 상변화 메모리(PCM) 등이 주목받는다”고 전했다.